| 主权项 |
1.一种复合构件之分离方法,该复合构件具有之构造为内侧具有分离层之第一构件紧密接触第二构件,其中该复合构件具有一突出部分,而该第一构件之外周缘于此突出于第二构件之外周线外,和该方法包含分离步骤以开始从该突出部份分离复合构件,而后在该分离层上分离复合构件为两构件。2.如申请专利范围第1项之方法,其中第一构件之主表面具有和第二构件主表面相同的形状,和该复合构件具有之构造为当互相移位中央位置时,第一构件之主表面和第二构件之主表面紧密接触。3.如申请专利范围第1项之方法,其中第二构件之主表面小于第一构件之主表面,和该复合构件具有之构造为第一构件之主表面紧密接触第二构件之主表面。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该分离步骤包含:预先分离步骤,以处理该突出部份,以形成分离开始部份;和主分离步骤,以开始从分离开始部份,分离该复合构件,而后只实质破裂该分离层,以在分离层上分离复合构件成为两构件。5.一种复合构件之制造方法,该方法使内侧具有分离层之第一构件紧密接触第二构件,以制造一复合构件,该复合构件具有一突出部分,而该第一构件之外周缘于此突出于第二构件外周缘外。6.一种转换在第一构件表面上之转换层至第二构件之转换方法,包含:准备步骤,使内侧具有分离层和在分离层上之转换层之第一构件紧密接触第二构件,以准备一复合构件,其中第一构件之外周缘突出于第二构件外周缘外;和分离步骤,用以从该突出部份开始分离该复合构件和在分离层上分离该复合构件成为两构件,藉以转换第一构件上之转换层至第二构件。7.一种分离一结合基底堆叠成为两基底之分离方法,该结合基底堆叠之构造为使内侧具有分离层和在分离层上之转换层之第一基底之转换层紧密接触第二基底而形成,其中该结合基底堆叠具有一突出部份,而第一基底之外周缘于此突出于第二基底外周缘外;和该分离方法包含分离步骤,用以从该突出部份开始分离该结合基底堆叠和在分离层上分离该结合基底堆叠成为两基底。8.如申请专利范围第7项之方法,其中第一基底具有和第二基底相同的尺寸,和该结合基底堆叠具有之构造为当互相移位中央位置时,第一基底和第二基底紧密接触。9.如申请专利范围第7项之方法,其中该结合基底堆叠之构造为第一基底和小于第一基底之第二基底紧密接触。10.如申请专利范围第7项之方法,其中该第二基底具有一导向平坦部和一缺口之一,和该结合基底堆叠具有一部份当成该突出部份,其中第一基底在第二基底之缺口或导向平坦部上曝露。11.如申请专利范围第7项之方法,其中第一基底和第二基底具有导向平坦部和缺口之一,该结合基底堆叠藉由使第一基底和第二基底互相紧密接触而未匹配第一基底之导向平坦部或缺口和第二基底之导向平坦部或缺口而形成,和具有当成突出部份之部份,其中第一基底在第二基底之缺口或导向平坦部上曝露。12.一种制造结合基底堆叠的方法,其特征在于包含步骤:将在其内侧具有一分离层及一转移层在该分离层上之第一基底的转移层结合至一第二基底,以制造一结合基底堆叠,其具有一突出部份,该第一基底的外周缘自该突出部份处突出于该第二基底之外周缘外。13.一种转换在第一基底表面上之转换层至第二基底之转换方法,包含:准备步骤,使内侧具有分离层和在分离层上之转换层之第一基底之分离层结合至第二基底,以准备一结合基底堆叠,该结合基底堆叠具有一突出部份,而第一基底之外周缘于此突出于第二基底外周缘外;和分离步骤,用以从该突出部份开始分离该结合基底堆叠,然后,在分离层上分离该结合基底堆叠,藉以转换第一基底上之转换层至第二基底。14.如申请专利范围第13项之方法,其中准备步骤包含当移位中央位置以准备结合基底堆叠时,使具有相同尺寸之第一基底和第二基底互相紧密接触。15.如申请专利范围第13项之方法,其中该准备步骤包含使第一基底和小于第一基底之第二基底紧密接触,以准备该结合基底堆叠。16.如申请专利范围第13项之方法,其中该准备步骤包含使第一基底和具有一导向平坦部和一缺口之一之第二基底紧密接触,以准备一结合基底堆叠,该结合基底堆叠具有一部份当成该突出部份,其中第一基底在第二基底之缺口或导向平坦部上曝露。17.如申请专利范围第13项之方法,其中该准备步骤包含准备第一基底和第二基底,其皆具有导向平坦部和缺口之一,和使第一基底和第二基底互相紧密接触而未匹配第一基底之导向平坦部或缺口和第二基底之导向平坦部或缺口,以准备该结合基底堆叠。18.如申请专利范围第13项之方法,其中该分离步骤包含:预先分离步骤,以处理该突出部份,以形成分离开始部份;和开始从分离开始部份分离该结合基底堆叠,而后只实质破裂该分离层,以在分离层上分离结合基底堆叠成为两基底。19.如申请专利范围第18项之方法,其中该预先分离步骤包含射出一流体至突出部份,以藉由流体形成该分离开始部份。20.如申请专利范围第18项之方法,其中该预先分离步骤包含插入一楔形构件至在突出部份上介于第一基底和第二基底间之一间隙中,以形成该分离开始部份。21.如申请专利范围第18项之方法,其中该预先分离步骤包含供应一震动能量至该突出部份,以形成该分离开始部份。22.如申请专利范围第18项之方法,其中该预先分离步骤包含将该突出部份浸入液体中,并经由液体供应一震动能量至该突出部份,以形成分离开始部份。23.如申请专利范围第22项之方法,其中该液体为水。24.如申请专利范围第22项之方法,其中该液体为一蚀刻剂。25.如申请专利范围第18项之方法,其中该预先分离步骤包含蚀刻该转换层和在突出部份上之分离层,以形成分离开始部份。26.如申请专利范围第13项之方法,其中该分离步骤包含射出一流体至该突出部份,以在结合基底堆叠上,形成分离开始部份,和当改变流体注入之位置时,持续分离该结合基底堆叠。27.如申请专利范围第13项之方法,其中该分离步骤包含插入一楔形构件至在突出部份上介于第一基底和第二基底间之一间隙中,以分离该结合基底堆叠。28.如申请专利范围第18项之方法,其中该分离开始部份为在该部份上之分离层具有最易碎构造之部份。29.如申请专利范围第18项之方法,其中该分离开始部份为在该部份上之转换层已移除之部份,和在转换层下方之分离层曝露。30.如申请专利范围第18项之方法,其中该分离开始部份为在该部份上之分离层已曝露之部份,和分离层之外周缘位在结合基底堆叠内侧。31.如申请专利范围第13项之方法,其中该分离层为一多孔层。32.如申请专利范围第13项之方法,其中该第一基底为藉由阳极化一基底以形成一多孔层当成分离层和形成该转换层在分离层上之基底。33.如申请专利范围第13项之方法,其中第一基底具有藉由离子植入形成之多孔层,其被当成该分离层。34.如申请专利范围第13项之方法,其中该转换层包括一单晶矽层。35.如申请专利范围第13项之方法,其中该转换层依序具有单晶矽层和一绝缘层当成该转换层。36.一种制造SOI基底之方法,包含:准备步骤,其使内侧具有多孔层和包括在多孔层上之单晶矽层之一转换层之第一基底之表面和第二基底紧密接触,以准备一结合基底堆叠,该结合基底堆叠具有一突出部份,而第一基底之外周缘于此突出于第二基底外周缘外;分离步骤,用以从该突出部份开始分离该结合基底堆叠和在多孔层上分离该结合基底堆叠,藉以转换第一基底上之转换层至第二基底;和移除步骤,用以在分离后,移除留在第二基底表面上之多孔层。37.如申请专利范围第36项之方法,其中该第一基底不只具有单晶矽层且亦具有一绝缘层在该单晶矽层上,当成转换层。38.如申请专利范围第36项之方法,其中第二基底具有一绝缘层在一表面上。39.如申请专利范围第36项之方法,其中准备步骤包含当移位中央位置以准备结合基底堆叠时,使具有相同尺寸之第一基底和第二基底互相紧密接触。40.如申请专利范围第36项之方法,其中该准备步骤包含使第一基底和小于第一基底之第二基底紧密接触,以准备该结合基底堆叠。41.如申请专利范围第40项之方法,其中准备步骤包含当中央位置互相匹配时,使第一基底和第二基底紧密接触。42.如申请专利范围第36项之方法,其中该准备步骤包含使第一基底和具有一导向平坦部和一缺口之一之第二基底紧密接触,以准备一结合基底堆叠,该结合基底堆叠具有一部份当成该突出部份,其中第一基底在第二基底之缺口或导向平坦部上曝露。43.如申请专利范围第36项之方法,其中该准备步骤包含准备第一基底和第二基底,其皆具有导向平坦部和缺口之一,和使第一基底和第二基底互相紧密接触而未匹配第一基底之导向平坦部或缺口和第二基底之导向平坦部或缺口,以准备该结合基底堆叠。44.如申请专利范围第36项之方法,其中该分离步骤包含:预先分离步骤,以处理该突出部份,以形成分离开始部份;和开始从分离开始部份分离该结合基底堆叠,而后只实质破裂该分离层以在该多孔层上分离结合基底堆叠成为两基底。45.如申请专利范围第44项之方法,其中该预先分离步骤包含射出一流体至突出部份,以藉由流体形成该分离开始部份。46.如申请专利范围第44项之方法,其中该预先分离步骤包含插入一楔形构件至在突出部份上介于第一基底和第二基底间之一间隙中,以形成该分离开始部份。47.如申请专利范围第44项之方法,其中该预先分离步骤包含供应一震动能量至该突出部份,以形成该分离开始部份。48.如申请专利范围第44项之方法,其中该预先分离步骤包含将该突出部份浸入液体中并经由液体供应一震动能量至该突出部份,以形成分离开始部份。49.如申请专利范围第48项之方法,其中该液体为水。50.如申请专利范围第48项之方法,其中该液体为一蚀刻剂。51.如申请专利范围第44项之方法,其中该预先分离步骤包含蚀刻该转换层和在突出部份上之多孔层,以形成分离开始部份。52.如申请专利范围第36项之方法,其中该分离步骤包含射出一流体至该突出部份以在结合基底堆叠上形成分离开始部份,和当改变流体注入之位置时,持续分离该结合基底堆叠。53.如申请专利范围第36项之方法,其中该分离步骤包含插入一楔形构件至在突出部份上介于第一基底和第二基底间之一间隙中,以分离该结合基底堆叠。54.如申请专利范围第36项之方法,其中该分离开始部份为在该部份上之多孔层具有最易碎构造之部份。55.如申请专利范围第36项之方法,其中该分离开始部份为在该部份上之转换层已移除之部份,和在转换层下方之多孔层曝露。56.如申请专利范围第36项之方法,其中该分离开始部份为在该部份上之多孔层已曝露之部份,和多孔层之外周缘位在结合基底内侧。57.一种复合构件,其具有一构造,其中内侧具有分离层之第一构件和第二构件紧密接触,其特征在于包含:一突出部份,而第一构件之外周缘于此突出于第二构件外周缘外。58.一种结合基底堆叠,其具有一构造,其中内侧具有分离层和在分离层上之一转换层之第一基底和第二基底紧密接触,其特征在于包含:一突出部份,而第一基底之外周缘于此突出于第二基底外周缘外。59.一种结合基底堆叠,其藉由结合内侧具有多孔层和在多孔层上包括一单晶矽层之一转换层之第一基底和第二基底而形成,其特征在于包含:一突出部份,而第一基底之外周缘于此突出于第二基底外周缘外。图式简单说明:图1A为在依照本发明之较佳实施例之SOI基底之制法中,用以说明形成多孔层之步骤之示意图;图1B为在依照本发明之较佳实施例之SOI基底之制法中,用以说明形成单晶矽层和绝缘层之步骤之示意图;图1C为在依照本发明之较佳实施例之SOI基底之制法中,用以说明结合步骤之示意图;图1D为在依照本发明之较佳实施例之SOI基底之制法中,用以说明形成分离开始区域(预先分离步骤)之步骤之示意图;图1E为在依照本发明之较佳实施例之SOI基底之制法中,用以说明分离步骤(主分离步骤)之示意图;图1F为在依照本发明之较佳实施例之SOI基底之制法中,用以说明移除在第二基底侧和SOI基底上之多孔层之步骤之示意图;图1G为在依照本发明之较佳实施例之SOI基底之制法中,用以说明移除在第一基底侧上之多孔层之步骤之示意图;图2为藉由结合中央位置移位之第一和第二基底而形成之具有突出部份之结合基底堆叠之例之立体图;图3为在图2所示之结合基底堆叠上之分离开始部份之形成之示意图;图4为图3之结合基底堆叠之分离之示意图;图5为藉由使第一基底和比第一基底小的第二基底互相紧密接触而形成具有突出部份之结合基底堆叠之例之图。图6为在图5所示之结合基底堆叠上之分离开始部份之形成之示意图;图7为图6之结合基底堆叠之分离之示意图;图8为依照本发明之另一实施例之处理装置之示意构造图;和图9为依照本发明之又一实施例之处理装置之示意构造图。 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