| 主权项 |
1.一种微波介电陶瓷组合物,包括:90至50重量%之氧化钡、氧化钕及氧化钛固溶相陶瓷组成;以及10至50重量%之锌硼玻璃。2.如申请专利范围第1项所述之微波介电陶瓷组合物,包括:86.5至70.5重量%之氧化钡、氧化钕及氧化钛固溶相陶瓷组成;以及13.5至29.5重量%之锌硼玻璃。3.如申请专利范围第1项所述之微波介电陶瓷组合物,其中该固溶相陶瓷组成系含11至45.5重量%氧化钡、40.4至29.5重量%氧化钛及48.6至25重量%氧化钕。4.如申请专利范围第1项所述之微波介电陶瓷组合物,其中该锌硼玻璃组成系含53.9至77.8重量%氧化锌与46.1至22.2重量%氧化硼。5.一种用以制备介电陶瓷元件之浆料,其系含:70至85重量%根据申请专利范围第1项所述之介电陶瓷组合物;以及30至15重量%有机载体。6.如申请专利范围第5项所述之浆料,其中该有机载体系含有机溶剂、有机黏结剂及有机塑化剂。7.一种制备介电陶瓷元件之方法,其包括以下步骤:将由90至50重量%之氧化钡、氧化钕和氧化钛固溶相陶瓷组成以及10至50重量%之锌硼玻璃组成的微波介电陶瓷组合物70至85重量%以及有机载体30至15重量%组成之浆料制成生胚;以及于不高于962℃之温度致密化该生胚。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该致密化步骤系包括脱脂与烧结二阶段。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该烧结阶段系于850至950℃之温度进行15至120分钟。10.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该致密化系于空气或氮/氢氢氛中进行。11.一种制备积层介电陶瓷元件之方法,其包括以下步骤:于陶瓷生胚薄片上网印低熔点、低阻抗之导体,将该陶瓷生胚薄片叠压制成积层陶瓷生胚;以及致密化该积层生胚;其中该用以制备该陶瓷生胚薄片之陶瓷材料系含有90至50重量%之氧化钡、氧化钕及氧化钛固溶相陶瓷组成,以及10至50重量%之锌硼玻璃所组成的介电组合物。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该介电组合物包括:86.5至70.5重量%之氧化钡、氧化钛及氧化钛固溶相陶瓷组成;以及13.5至29.5重量%之锌硼玻璃。13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该固溶相陶瓷组成系含11至45.5重量%氧化钡、40.4至29.5重量%氧化钛及48.6至25重量%氧化钕。14.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该锌硼玻璃组成系含53.9至77.8重量%氧化锌与46.1至22.2重量%氧化硼。 |
