| 主权项 |
1.一种溅射方法,系于具备真空排气系统之真空室内,对向设置基板及靶,于安装该靶之磁控控溅射阴极背后,与具备复数个面向靶侧而磁极互异的磁铁之复数组磁铁组合体相邻接的诸磁铁组合体系设置成同磁极的磁铁平行地邻接着,在该靶前方形成与电场正交之环状磁场,藉由该靶前方发生之磁控放电,于该基板上进行成膜之溅射方法,其特征为:配置各磁铁组合体之磁铁,使为各磁铁组合体之磁场限制而于该阴极前面成环状漂移之漂移电子之旋转方向于全磁铁组合体中为相同方向。2.一种溅射装置,系于具备真空排气系统之真空室(1)内,对向设置基板(4)及靶(5),于安装该靶(5)之磁控控溅射阴极(6)背后,平行设置具备复数个磁铁(8a、8b)之复数组磁铁组合体(8),在该靶(5)前方形成与电场正交之环状磁场(9),并且设置有使上述复数组磁铁组合体(8)的全部或一部份以平行于该靶(5)而往复移动的移动装置(10)之溅射装置,其特征为:构成各磁铁组合体(8)之磁铁(8a、8b)之面对该阴极侧之磁极(N、S)互异,且使邻接之诸磁铁组合体(8)邻接配设相同磁极之磁铁,各磁铁组合体(8)被限制于各个磁场而各自独立而形成电子漂移之环状轨道。3.如申请专利范围第2项之溅射装置,其中,构成上述磁铁组合体之复数个磁铁各由安装于板状磁轭之均一高度之永久磁铁构成,该永久磁铁以安装于该磁轭中央部之长形永久磁铁及将其围绕之环状永久磁铁构成。4.如申请专利范围第2项之溅射装置,其设有平行于上述靶往复移动上述复数组磁铁组合体全部或一部份之移动装置。图式简单说明:第1图系习知磁控溅射装置之背视图。第2图系第1图之2-2线部份之剖视图。第3图系习知另一磁控溅射装置之磁铁组合体之说明图。第4图系第3图之4-4线部之剖视图。第5图系习知另一磁控溅射装置之磁铁组合体之剖视说明图。第6图系习知又另一磁控溅射装置之磁铁组合体之说明图。第7图系使用第3图配置之磁铁组合体时于靶发生单不均凹沟状态之说明图。第8图系显示本发明实施状态之背视图。第9图系对应于第8图之9-9线部份之部份省略剖视图。第10图系第8图之磁铁组合体之斜视图。第11图系使用第8图配置之磁铁组合体时于靶发生单侧凹陷状态之说明图。 |
