以四氟化碳(CF4)电浆及氧化二氮(N20)电浆成长低温超薄氧化层之方法

摘要

一种以四氟化碳(CF4)电浆及氧化二氮(N2O)电浆成长低温超薄氧化层之方法，主要系利用四氟化碳电浆在清洁过的晶片表面进行原生氧化层的清除动作，再利用氧化二氮电浆成长出低温超薄之氧化层。藉此方法所成长的氧化层较传统技术成长的氧化层具有较小的漏电流，还兼具高可靠度、高产速等特性，亦适合未来制程所需。本技术可适用于一般金氧半场效电晶体的闸极薄氧化层制程上，亦适于低温之薄膜电晶体的制造，以及动态随机存取记忆体、非挥发性记忆体的制造等广泛用途。

主权项

1.一种以四氟化碳电浆及氧化二氮电浆成长低温超薄氧化层之方法,系使用PECVD机台成长,其包括:利用四氟化碳电浆在清洁过的矽晶片表面进行原生氧化层的清除动作;利用氧化二氮电浆在前述的矽晶片上成长出超薄之氧化层。2.如申请专利范围第1项所述之一种以四氟化碳电浆及氧化二氮电浆成长低温超薄氧化层之方法;其中,基材可为单晶矽、复晶矽或非晶矽。3.如申请专利范围第1项所述之一种以四氟化碳电浆及氧化二氮电浆成长低温超薄氧化层之方法;其中,该氧化层的厚度小于50埃。4.如申请专利范围第1项所述之一种以四氟化碳电浆及氧化二氮电浆成长低温超薄氧化层之方法;其中,电浆功率小于50瓦。5.如申请专利范围第1项所述之一种以四氟化碳电浆及氧化二氮电浆成长低温超薄氧化层之方法;其中,机台内反应腔体的温度小于350度。6.如申请专利范围第1项所述之一种以四氟化碳电浆及氧化二氮电浆成长低温超薄氧化层之方法;其中,机台内反应腔体的压力小于1torr。7.如申请专利范围第1项所述之一种以四氟化碳电浆及氧化二氮电浆成长低温超薄氧化层之方法;其中,反应时间小于20分钟。图式简单说明:第1图系为本发明之流程图。