| 主权项 |
1.一种铜金属镶嵌结构,系架构在一半导体基底上,该铜金属镶嵌结构至少包括:一第一介电层,覆盖该半导体基底,该第一介电层具有一开口;一第一铜层,位于该第一介电层之该开口中;一有机铜离子阻障层,具有一苯并环烯基聚合物,覆盖该第一铜层与该第一介电层;一第二介电层,覆盖该有机铜离子阻障层;以及一第二铜层,位于该第二介电层中,并且部分该第二铜层穿过该有机铜离子阻障层与部分该第一铜层相接。2.如申请专利范围第1项之结构,其中该有机铜离子阻障层之厚度约为300-900埃。3.如申请专利范围第1项之结构,其中形成该有机铜离子阻障层的方法包括旋转涂布法。4.如申请专利范围第1项之结构,其中该苯并环烯基聚合物具有一苯环官能基,可阻挡该第一铜层之铜离子扩散至该第二介电层。5.如申请专利范围第1项之结构,其中该苯并环烯基聚合物包括苯并环丁烯之聚合物。6.如申请专利范围第1项之结构,其中该第二铜层由一铜导线层与一铜介层窗插塞所构成,该铜介层窗插塞与该第一铜层相接。7.一种铜金属镶嵌结构之制造方法,该方法至少包括下列步骤:提供一半导体基底;在该半导体基底上覆盖一第一介电层;在该第一介电层中形成一第一铜层;在该第一铜层与该第一介电层上覆盖一有机铜离子阻障层;在该有机铜离子阻障层上覆盖一第二介电层:以及在该第二介电层中形成一第二铜层,且部分该第二铜层穿过该有机铜离子阻障层与部分该第一铜层相接。8.如申请专利范围第7项之方法,其中在该第一介电层中形成一第一铜层之方法包括:在该第一介电层上形成一图案化光阻层;以该图案化光阻层为罩幕,蚀刻该第一介电层,以在该第一介电层中形成一沟渠开口;去除该图案化光阻层;以及在该沟渠开口中填入该第一铜层。9.如申请专利范围第7项之方法,其中该有机铜离子阻障层之厚度约为300-900埃。10.如申请专利范围第7项之方法,其中形成该有机铜离子阻障层的方法包括一旋转涂布法。11.如申请专利范围第7项之方法,其中该有机铜离子阻障层具有一苯并环烯基聚合物。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该苯并环烯基聚合物包括苯并环丁烯之聚合物。13.如申请专利范围第11项之方法,其中该苯并环烯基聚合物具有一苯环官能基,可阻挡该第一铜层之铜离子扩散至该第二介电层。14.如申请专利范围第7项之方法,其中该第二铜层由一铜导线层与一铜介层窗插塞所构成,该铜介层窗插塞与该第一铜层相接。15.如申请专利范围第14项之方法,其中形成该第二铜层的方法包括:在该第二介电层中形成一介层窗开口与一导线沟渠开口,该介层窗开口位于该导线沟渠开口之底部,且该介层窗开口底部暴露出该第一铜层;以及在该介层窗开口与该导线沟渠开口中填入一铜层,藉以分别形成该介层窗插塞与该铜导线层。16.一种有机铜离子阻障层,系形成在一铜层上,且在该有机铜离子阻障层上形成有一介电层,该有机铜离子阻障层至少包括:一苯并环烯基聚合物,该苯并环烯基聚合物具有一苯环官能基,可阻挡该铜层中的铜离子扩散至该介电层中。17.如申请专利范围第16项之有机铜离子阻障层,其中该苯并环烯基聚合物包括苯并环丁烯之聚合物。18.如申请专利范围第16项之有机铜离子阻障层,其中该有机铜离子阻障层之厚度约为300-900埃。图式简单说明:第1A-1I图为本发明之一较佳实施例之制程剖面示意图。 |
