| 摘要 |
<p>본 발명은, 반도체 메모리소자에 관한 것으로서, 특히, 반도체기판에 형성된 트렌치에 매립된 제1 도전영역과; 제1 도전영역의 바닥면과 연결되고 제1 도전영역보다 넓게 형성된 제2 도전영역으로 이루어져 역방향 "T"자형의 플레이트 전극과; 플레이트 전극을 둘러싸는 유전체막과; 유전체막을 둘러싸는 스토리지 노드와; 반도체기판 상에 게이트절연막을 개재하여 형성된 게이트전극; 그리고 스토리지 노드와 연결된 소오스/ 드레인을 구비하여서 좁은 면적에서도 표면적을 증대하여 조집적 커패시터를 제공하도록 하는 매우 유용하고 효과적인 발명에 관한 것이다.</p> |
