| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 소자의 제조공정에 있어서의 난반사방지용 중합체 및 그의 제조방법에 관한 것으로 더 상세하게는 193nm 레이저를 이용한 리소그라피용 감광막을 사용하는 초미세 패턴형성공정에 있어서 하부막층의 반사를 방지하고 ArF광 및 감광막 자체의 두께변화에 있어서 정재파를 제거할 수 있도록 193nm 의 파장에서 흡광도가 큰 페닐기를 함유한 난반사방지용 중합체 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르는 중합체를 반도체 제조공정에 사용할 경우 웨이퍼상의 하부막층의 광학적 성질 및 감광막의 두께변동으로 인한 정재파, 반사 및 하부막으로부터 기인되는 CD 변동을 제거함으로써 1G 및 4G DRAM의 안정된 초미세 패턴을 형성할 수 있어 제품의 수율을 증대할 수 있다.</p> |
