| 摘要 |
<p>반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 실리콘 웨이퍼에 접촉 구멍을 형성하고 배리어 금속을 증착한 후 텅스텐을 증착하여 접촉 구멍을 채운다. 그 다음, 텅스텐을 에치백 공정을 통해 식각한 후, 실리콘 웨이퍼를 세정한다. 이후, 하부 질화 티타늄막을 증착하고 산소 분위기에서 플라즈마 처리를 하여 미세 산화막을 형성한 후 순수로 세정한 다음, 그 상부에 알루미늄 합금막을 증착하고 반사 방지용 질화 티타늄막을 증착한다. 이후, 실리콘 웨이퍼에 고온 공정 중의 하나인 소결 공정을 실시하는데, 플라즈마 처리로 생성된 미세 산화막이 하부 질화 티타늄막과 알루미늄 합금막 사이에서 장벽 역할을 하여 티타늄 원자와 알루미늄 원자의 반응으로 인한 TiAl의 생성을 억제하므로, 소결과 같은 고온 공정으로 인한 저항 증가를 감소시켜 반도체 디바이스의 동작 속도를 개선할 수 있다.</p> |
