发明名称 | 降低单边静态随机存取存储器功率消耗的装置与方法 | ||
摘要 | 提供一种降低单边SRAM功率消耗的装置与方法。该装置包含至少一列状态存储单元;一检测单元,用来检测写入数据的位状态,并将位状态写入状态存储单元;一写入转换单元,根据位状态将写入数据转换成0位为少数位的储存数据,并将该储存数据写入单边SRAM;以及一读出转换单元,根据储存于状态存储单元的位状态将单边SRAM输出的储存数据加以还原并输出。由于所储存至单边SRAM的位数据中,1位保持为多数位,因此可降低单边SRAM的功率消耗。 | ||
申请公布号 | CN1374659A | 申请公布日期 | 2002.10.16 |
申请号 | CN01111464.9 | 申请日期 | 2001.03.14 |
申请人 | 矽统科技股份有限公司 | 发明人 | 林鸿明;白宏达 |
分类号 | G11C7/00;G11C7/12 | 主分类号 | G11C7/00 |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 马莹 |
主权项 | 1.一种降低单边SRAM功率消耗的装置,包括:至少一列状态存储单元;一检测单元,用来检测写入数据的位状态,并将位状态写入前述状态存储单元;一写入转换单元,根据前述位状态将前述写入数据转换成0位为少数位的储存数据,并将该储存数据写入单边SRAM;以及一读出转换单元,根据储存于前述状态存储单元的前述位状态将前述单边SRAM输出的前述储存数据加以还原并输出。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区 |