| 主权项 |
1.一种制造半导体元件的乾式蚀刻装置,其包含:一处理室,于其中设置一吸盘,该吸盘上安装有一晶圆,并以电浆进行蚀刻处理;一介电窗,其密封该处理室,且覆盖该处理室之上侧,该介电窗下表面的构造系为面对一处理室里侧较高电浆密度之该介电窗的下表面部分与该吸盘水平表面的距离比面对一较低电浆密度的下表面部分远;一线圈,其位置毗邻该介电窗的上侧,并连接至一电源供用于在该处理室中产生电浆;以及其中该介电窗的上表面是平坦的,而该介电窗的下表面在表面中心以内凹的形状向内弯。2.如申请专利范围第1项之乾式蚀刻装置,其中该介电窗之周围部分的厚度为18毫米到22毫米,而该介电窗之中央部分的厚系为14毫米到16毫米。3.一种制造半导体元件的乾式蚀刻装置,其包含:一处理室,于其中设置一吸盘,该吸盘上安装有一晶圆,并以电浆进行蚀刻处理;一介电窗,其密封该处理室,覆盖该处理室之上侧,该介电窗下表面的构造系为面对一处理室里侧较高电浆密度之该介电窗的下表面部分与该吸盘水平表面的距离比面对一较低电浆密度的下表面部分远;一线圈,其位置毗邻该介电窗的上侧,并连接至一电源供用于在该处理室中产生电浆;以及其中该介电窗的两个表面均在表面中心以内凹的形状向内弯。4.如申请专利范围第3项之乾式蚀刻装置,其中该介电窗之周围部分的厚度为18毫米到22毫米,而该介电窗之中央部分的厚系为9毫米到11毫米。5.一种制造半导体元件的乾式蚀刻装置,其包含:一处理室,于其中设置一吸盘,该吸盘上安装有一晶圆,并以电浆进行蚀刻处理;一介电窗,其密封该处理室,覆盖该处理室之上侧,该介电窗下表面的构造系为面对一处理室里侧较高电浆密度之该介电窗的下表面部分与该吸盘水平表面的距离比面对一较低电浆密度的下表面部分远;一线圈,其位置毗邻该介电窗的上侧,并连接至一电源供用于在该处理室中产生电浆;以及其中该介电窗可以是均匀厚度的圆顶形状,以及该介电窗的中心与该吸盘之水平表面的距离较其它表面部分远。6.一种制造半导体元件的乾式蚀刻装置,其包含:一处理室,于其中设置一吸盘,该吸盘上安装有一晶圆,并以电浆进行蚀刻处理;一介电窗,其密封该处理室,覆盖该处理室之上侧,该介电窗下表面的构造系为面对一处理室里侧较高电浆密度之该介电窗的下表面部分与该吸盘水平表面的距离比面对一较低电浆密度的下表面部分远;一线圈,其位置毗邻该介电窗的上侧,并连接至一电源供用于在该处理室中产生电浆;以及其中该介电窗的下表面可以是阶梯型,以及该介电窗的中心与该吸盘之水平表面的距离较其它表面部分远。图式简单说明:第1图系为用来制造半导体装置之传统乾蚀刻装置的介电窗立体图;第2图系为第1图之介电窗沿着线II-II'的剖面图;第3图系概略显示本发明用来制造半导体装置的乾蚀刻装置;第4图系为根据本发明第一具体实施例之介电窗的立体图;第5图系为第4图之介电窗沿着线V-V'的剖面图;第6图系为根据本发明第二具体实施例之介电窗的剖面图;第7图系为本发明第三具体实施例之介电窗的剖面图;及第8图系为本发明第四具体实施例之介电窗的剖面图。 |
