| 主权项 |
1.一种晶圆边缘之蚀刻机台,适用于对具有正面及背面之晶圆的边缘进行蚀刻,而上述蚀刻机台包括:一旋转夹盘,具有一工作台面,且上述工作台面设有一气体喷出凹槽及复数夹持销,且上述气体喷出凹槽用以喷出气体,而使上述晶圆正面与上述工作台面维持一既定距离,且上述夹持销带动上述晶圆转动;以及一蚀刻液导入装置,朝向上述工作台面而设置,用以导入上述蚀刻液至上述晶圆背面;以及一夹持臂,用以夹持晶圆至上述工作台面和上述蚀刻液导入装置之间,并使上述晶圆正面朝向工作台面,上述晶圆背面朝向蚀刻液导入装置;而上述工作台面更设有一蚀刻液回渗凹槽,而上述蚀刻液回渗凹槽设置于上述气体喷出凹槽之外周,且朝向位于上述晶圆之边缘之正面,用以使上述蚀刻液回渗至上述晶圆之边缘之正面。2.如申请专利范围第1项所述之蚀刻机台,其中具有二夹持臂。3.如申请专利范围第2项所述之蚀刻机台,其中上述夹持销为圆柱体。4.如申请专利范围第3项所述之蚀刻机台,其中具有六夹持销。5.如申请专利范围第4项所述之蚀刻机台,其中上述旋转夹盘之转速为150-300rpm。6.如申请专利范围第5项所述之蚀刻机台,其中上述气体为氮气。7.一种晶圆边缘之蚀刻方法,适用于以申请专利范围第1项所述之蚀刻机台来对具有正面和背面之晶圆之边缘进行蚀刻,且上述蚀刻方法包括下列步骤:自上述气体喷出凹槽喷出气体;使用上述夹持臂将上述晶圆置于上述工作台面上方,且使上述正面朝向上述工作台面和使上述背面朝向上述蚀刻液体导入装置,上述晶圆因上述气体喷向上述正面而与上述机台本体维持一既定距离;使上述夹持销夹持上述晶圆边缘,而带动上述晶圆转动;自上述蚀刻导入装置导入蚀刻液至上述背面,使上述蚀刻液经由上述晶圆边缘而回渗至朝向上述蚀刻液回渗凹槽之上述正面之部分,同时上述气体仍持续自上述气体喷出凹槽喷出,以防止上述蚀刻液回渗至上述正面之中央部分。8.如申请专利范围第7项所述之晶圆边缘之蚀刻方法,其中上述夹持销夹持上述晶圆一第一既定时间后,放松上述晶圆,并于一第二既定时间后再夹持上述晶圆。9.如申请专利范围第8项所述之晶圆边缘之蚀刻方法,其中具有二夹持臂。10.如申请专利范围第9项所述之晶圆边缘之蚀刻方法,其中上述夹持销为圆柱体。11.如申请专利范围第10项所述之晶圆边缘之蚀刻方法,其中具有六夹持销。12.如申请专利范围第11项所述之晶圆边缘之蚀刻方法,其中上述旋转夹盘之转速为150-300rpm。13.如申请专利范围第12项所述之晶圆边缘之蚀刻方法,其中上述气体为氮气。图式简单说明:第1图系说明深凹槽及剑山结构之剖面图。第2图系说明边缘剑山因被夹持臂夹断之情形。第3图系说明去除边缘剑山之结果。第4图系说明去除边缘剑山之习知方法。第5图系传统蚀刻机台之顶示图。第6图系传统蚀刻机台之剖面图,系从第5图延着I-I'线所得之剖面图。第7图系传统之蚀刻机台之剖面图,系从第5图延着J-J'线所得之剖面图。第8图系本发明蚀刻机台之顶示图。第9图系本发明蚀刻机台之剖面图,系从第8图延着K-K'线所得之剖面图。第10图系本发明蚀刻机台之剖面图,系从第8图延着L-L'线所得之剖面图。 |
