| 主权项 |
1.一种天线装置,其特征为:具备:基板;与被安装于前述基板之晶片天线;与在基板上被配置成前述的晶片天线之晶片导体的供电端子侧的至少部分重叠之底样。2.如申请专利范围第1项之天线装置,其中前述天线导体系蛇行状或螺旋状。3.如申请专利范围第1项之天线装置,其中前述天线晶片系具有蛇行状天线导体,前述蛇行状天线导体系具备蛇行间距为紧密部分与蛇行间距为粗大部分,前述蛇行间距为紧密部分之一部分或全部与前述底样重叠地安装于前述基板。4.一种天线装置,其特征为:天线导体为蛇行状或螺旋状,前述天线导体系具有蛇行间距或螺旋间距之紧密部分与粗大部分。5.如申请专利范围第1或4项之天线装置,其中蛇行间距或螺旋间距之紧密部分系被设在前述天线导体的供电端子侧,而粗大部分系被设在前述天线导体的前端侧。6.如申请专利范围第1或4项之天线装置,其中将蛇行间距或螺旋间距之紧密部分的转折数作成较粗大部分的转折数多。7.如申请专利范围第1或4项之天线装置,其中更具备被配置于由前述基板上的底样之边缘分离的位置之天线搭载用垫片,前述晶片天线系被安装成将设置供电端子的一方朝底样,另一方与前述垫片重叠,前述垫片的宽为前述蛇行状天线导体的蛇行宽度方向尺寸之2倍以下。8.如申请专利范围第7项之天线装置,其中垫片的宽度为蛇行状天线导体之蛇行宽度方向尺寸的0.5~1.75倍。图式简单说明:第1A及1B图系显示本发明的第1实施形态之天线装置的图,第1A图系正面图,第1B图系侧面图。第2A及2B图系显示在第1A及1B图型式的天线装置,将电介质晶片的宽度作成较弯曲状天线导体的蛇行宽度更窄的例子之图,第2A图系正面图,第2B图系侧面图。第3图系显示在第2A及2B图型式的天线装置,使天线导体与底样的重叠尺寸B变化时的VSWR(Voltage StandingWave Ratio;电压驻波比)之变化的流程图。第4图系显示显示在第1A及1B图型式的天线装置,使天线导体与底样的重叠尺寸B变化时的频道宽度之变化的流程图。第5A及5B图系显示以往的天线装置之一个例子的图,第5A图系正面图,第5B图系侧面图。第6A及6B图系显示本发明的第2实施形态之天线装置的图,第6A图系正面图,第6B图系侧面图。第7图系显示在第6A及6B图的天线装置,使天线导体与底样的重叠尺寸B变化时的VSWR之变化的流程图。第8图系显示显示在第6A及6B图的天线装置,使天线导体与底样的重叠尺寸B变化时的频道宽度之变化的流程图。第9A及9B图系显示本发明的第3实施形态之天线装置的图,第9A图系正面图,第9B图系侧面图。第10图系显示在第9A及9B图型式的天线装置,使天线导体与底样的重叠尺寸B变化时的VSWR之变化的流程图。第11图系显示显示在第9A及9B图型式的天线装置,使天线导体与底样的重叠尺寸B变化时的频道宽度之变化的流程图。第12A及12B图系显示本发明的第4实施形态之天线装置的图,第12A图系正面图,第12B图系剖面图。第13A及13B图系显示本发明的第5实施形态之天线装置的图,第13A图系正面图,第13B图系侧面图。第14A及14B图系显示本发明的第6实施形态之天线装置的图,第14A图系透视立体图,第14B图系剖面图。第15图系显示测验晶片天线的性能之图,第15A图系正面图,第15B图系侧面图。第16A及16B图系显示本发明的第7实施形态之天线装置的图,第16A图系透视立体图,第16B图系剖面图。第17A及17B图系显示关于本发明的第8实施形态之天线装置的正面图。第18图系显示第17A及17B图的天线装置之垫片宽度与频道宽度的关系之流程图。第19图系显示第17A及17B图的天线装置之垫片宽度与共振频率的关系之流程图。第20图系显示显示第17A及17B图的天线装置之垫片宽度与VSWR关系之流程图。第21A及21B图系显示用于第17A及17B图的天线装置之晶片天线,第21A图系透视立体图,第21B图系剖面图。第22A~C图系显示使用于本发明之第8实施形态的天线装置之晶片天线的变形例之图,第22A图系俯视图,第22B图系正面图,第22C图系仰视图。 |
