| 主权项 |
1.一种侧向金属-半导体-金属光侦测器之制法,系包含以下之步骤:A.提供一半导体基材,该半导体基材具有一第一表面;B.在该半导体基材之第一表面上蚀刻形成多数个间隔并列的与具有相对的一第一与一第二端之壕沟,而该等壕沟中的奇数条壕沟之第一端皆位于一第一直线方向上,与偶数条壕沟之第二端皆位于一与第一直线方向平行之第二直线方向上,而且奇数条壕沟之第二端与偶数条壕沟之第一端位于该第一与第二直线方向之间且未与其接触;C.积设一金属层于该半导体基材之第一表面上并充填于该等壕沟内;D.利用移除半导体基材之第一表面上的金属部分,以使各该壕沟内的金属彼此不相互电性连接,并定义奇数条壕沟内的金属为第一指状物,与偶数条壕沟内的金属为第二指状物;以及E.在该半导体基材之第一表面上之该第一与第二直线方向上分别积设为金属材质的一第一与一第二接触区,以使该第一接触区电性连接该第一指状物之第一端,与该第二接触区电性连接该第二指状物之第二端。2.如申请专利范围第1项所述之制法,其中,在该步骤C之前,更沉积一绝缘层于该半导体基材之第一表面与该等壕沟内。3.如申请专利范围第2项所述之制法,其中,形成该绝缘层之步骤系使用薄膜沉积技术。4.如申请专利范围第2或3项所述之制法,其中,形成该绝缘层之步骤系使用电浆化学气相沉积。5.如申请专利范围第1项所述之制法,其中,该步骤B中,更在该半导体基材之第一表面舖设光阻以利用一光罩曝光显影定义该等壕沟位置。6.如申请专利范围第5项所述之制法,其中,该步骤B中,该光罩定义该等壕沟中两两相邻的间距为2-0.1m。7.如申请专利范围第5或6项所述之制法,其中,该步骤B中,该光罩定义各该壕沟之宽度为2-0.1m。8.如申请专利范围第1项所述之制法,其中,该步骤B中该等壕沟的形成系使用乾蚀刻。9.如申请专利范围第1或8项所述之制法,其中,该步骤B中,该等壕沟之形成系使用反应性离子蚀刻法。10.如申请专利范围第1或8项所述之制法,其中,该步骤B中各该壕沟之深度为0.3-5m。11.如申请专利范围第1项所述之制法,其中,移除该半导体基材上的部分金属的步骤D系使用化学机械研磨法。12.如申请专利范围第1项所述之制法,其中,移除该半导体基材上的部分金属的步骤D系利用物理∕化学方法回蚀金属层,以移去该半导体基材表面上的部分金属但使该等壕沟内壁仍有部分金属。13.一种侧向金属-半导体-金属光侦测器,系积设于一半导体基材上,且该半导体基材具有一第一表面,该光侦测器系包含:第一电极区,系具有一舖设于该半导体基材之第一表面上并为金属材质的第一接触区,及由该第一接触区之一侧间隔并列延伸的第一指状物,该等第一指状物为埋设于该半导体基材中并与该第一表面位于同一平面的金属材质;及一第二电极区,系具有一舖设于该半导体基材之第一表面上并与该第一接触区相对的第二接触区,该第二接触区为金属材质,而由该第二接触区接近第一接触区之一侧朝第一接触区延伸多数个间隔并列的第二指状物,而各该第二指状物系插置于两两第一指状物之间,各该第二指状物亦为埋设于该半导体基材中并与该第一表面位于同一平面的金属材质。14.如申请专利范围第13项所述之侧向金属-半导体-金属光侦测器,其中,该第一与第二接触区之材质系由至少选自铝、铜、金、铂、铬、镍、钛、钨及其合金所组成之组群之一所组成。15.如申请专利范围第13项所述之侧向金属-半导体-金属光侦测器,其中,该等第一与第二指状物之材质系由至少选自铝、铜、金、铂、铬、镍、钛、钨及其合金所组成之组群之一所组成。16.如申请专利范围第13项所述之侧向金属-半导体-金属光侦测器,其中,该半导体基材之材质为由至少选自矽、砷化镓、锗、磷化铟及其衍生物所组成之组群之一所组成。17.如申请专利范围第13项所述之侧向金属-半导体-金属光侦测器,其中,各该第一与第二指状物埋设于该半导体基材之周围包覆一绝缘层。18.如申请专利范围第17项所述之侧向金属-半导体-金属光侦测器,其中,该绝缘层之材质为二氧化矽。19.如申请专利范围第13项所述之侧向金属-半导体-金属光侦测器,其中,该第一与第二接触区为长条状。图式简单说明:第一图是一种习用金属-半导体-金属光侦测器之俯视图。第二图是第一图之光侦测器之剖视图。第三图是第二图之光侦测之信号反应测试图。第四图是一种习用侧向金属-半导体-金属光侦测器之立体示意图。第五图是另一种习用侧向金属-半导体-金属光侦测器之交叉指状结构的局部剖视图。第六图系本发明之一较佳实施例之俯视图。第七图系第六图之较佳实施例之形成壕沟步骤后的局部剖视图。第八图系第七图之较佳实施例之形成金属层步骤后的局部剖视图。第九图系第八图之较佳实施例平坦化步骤之局部剖视图。第十图系本发明之另一较佳实施例之局部剖视图。 |
