| 主权项 |
1.一种转换开关电路,用于转换电气信号自第一节点至第二节点,其中由第一电源供应指向之第一节点具有大于指向第二节点之第二电源供应电位之电位,该电路包含:一传送电晶体,其源极系耦合至第一节点,而其汲极则耦合至第二节点;一闸控制电路,其包括假轨产生器电路及一反相器,其中该假轨产生器电路系由第一电源供应所供应,且假轨产生器电路之输出为假轨线,其连接到该反相器,其中该反相器之输出系耦合至该传送电晶体之闸极;其中,该假轨产生器电路包括电压参考电路,其具有耦合至第一电源供应之高电位节点及耦合至偏压下拉电路之低电位节点,其中该偏压下拉电路具有耦合至电位参考电路之输入,电位参考电路,其使该偏压下拉电路偏压而在稳态状况下为开启,且会以假轨之电位上升而允许电流放大,其中该假轨耦合至该电压参考电路之低电位节点。2.如申请专利范围第1项之电路,其中该传送电晶体为一NMOS电晶体。3.如申请专利范围第1项之电路,其中该电压参考为一二极体装置。4.如申请专利范围第3项之电路,其中该偏压下拉电路系一PMOS电晶体,其闸极系耦合至该电位参考电路。5.如申请专利范围第4项之电路,其中该电位参考电路包括一第一二极体参考装置,其高电位节点系耦合至第一电源供应,而低电位节点系耦合至第二二极体参考装置之高电位节点,其中第二二闸极参考装置具有耦合至一电阻及PMOS电晶体之极体之低电位节点。6.如申请专利范围第5项之电路,其中第一二极体参考装置为一二极体。7.如申请专利范围第5项之电路,其中第二二极体参考装置为一二极体连线之PMOS电晶体。8.如申请专利范围第5项之电路,其中该电阻为一电阻器。9.如申请专利范围第1项之电路,其中该电压参考为一二极体装置,而偏压下拉电路包括PMOS电晶体,其具有耦合至二极体装置之低电位节点之源极,耦合至电位参考电路之闸极,及耦合至双极电晶体之基底之汲极,其中双极电晶体收集极耦合至该假轨。10.如申请专利范围第1项之电路,其中该电压参考电路为一二极体装置,而偏压下拉电路包括PMOS电晶体,其源极耦合至二极体装置之低电位节点,闸极耦合至电位参考电路,而汲极则耦合至达灵顿电晶体组。11.如申请专利范围第10项之电路,其中该达灵顿电晶体组包括第一双极电晶体及第二双极电晶体,其中第一双极电晶体包括耦合至PMOS电晶体之汲极之基极,耦合至假轨之收集极,及耦合至第二双极电晶体之基集之放射极,其中该第二双极电晶体包括耦合至假轨之收集极。12.如申请专利范围第11项之电路,其中更包含耦合在PMOS电晶体之源极及第一双极电晶体之基极之间之电容器。13.如申请专利范围第1项之电路,其中更包含与电压参考并联耦合之偏压旁路分支。14.如申请专利范围第13项之电路,其中该偏压旁路分支包括一PMOS电晶体,其源极耦合至第一电源供应,其汲极耦合至假轨,其中PMOS电晶体之闸极耦合至致能电路。15.如申请专利范围第1项之电路,其中该偏压旁路分支包括一PMOS电晶体,其具有耦合至第一电源供应之源极及耦合至该假轨之汲极。16.一种转换开关电路,用于转换一电气信号自第一节点至第二节点,其中,第一节点指向第一电源供应,其电位较第二节点指向之第二电源供应之电位大,电路包含:传送电晶体,其汲极耦合至第一节点,而源极则耦合至第二节点;闸控制电路,耦合至传送电晶体之闸极,其中该闸极控制电路连接该传送电晶体之闸极至假轨线,此假轨线之电位等效于第二电源供应之电位;及一偏压旁路分支,耦合于第一供应轨及该假轨之间。17.如申请专利范围第16项之电路,其中该偏压旁路分支包括PM0S电晶体,其源极耦合至第一供应轨,其汲极耦合至该假轨,其中,该PMOS电晶体之闸极系耦合至致能电路。18.一种用于转换电气信号自第一节点至第二节点之方法,其中第一节点系指向第一电源供应,其电位较第二节点指向之第二电源供应之电位大,该方法包括下列步骤:耦合传送电晶体于第一节点及第二节点之间;产生假轨电位,其低于第一电源供应之电位;主动地对假轨电位钳位;及耦合该假轨电位至传送电晶体之控制节点。19.如申请专利范围第18项之方法,其中产生该假轨电位之步骤包括下列步骤:将电压参考电路之高电位节点耦合至第一电源供应;将偏压下拉电路之高电位节点耦合至电压参考之低电位节点;将偏压下拉电路之高电位节点耦合至假轨电位节点;及将偏压下拉电路之控制节点耦合至活性参考电路。20.如申请专利范围第19项之方法,其中电压参考为一二极体装正。21.如申请专利范围第20项之方法,其中偏压下拉电路包括PMOS电晶体,其源极耦合至二极体装置,而闸极则耦合至参考电路。22.如申请专利范围第21项之方法,其中偏压下拉电路进一步包括一双极电晶体,其基极系耦合至PMOS电晶体之汲极,而收集极则耦合至二极体装置。23.如申请专利范围第21项之方法,其中偏压下拉电路进一步包括达灵顿电晶体组,其具有一耦合至PMOS电晶体之汲极之控制节点。24.如申请专利范围第21项之方法,其中有源参考电路包括第一二极体装置,其具有耦合至第一电源轨之高电位节点及耦合至第二二极体装置之低电位节点,其中,第二二极体装置之低电位节点系耦合至电阻及PMOS电晶体之闸极。25.如申请专利范围第19项之方法,其中进一步包含主动钳位假轨电位之步骤之致能选择旁路之步骤。26.如申请专利范围第25项之方法,其中主动钳位之致能选择旁路之步骤包括下列步骤:将PMOS电晶体之源极耦合至第一电源轨,将PMOS电晶体之汲极耦合至假轨电位,并将PMOS电晶体之闸极耦合至致能逻辑电路。27.一种电脑系统,其包括一或更多装置,该种需要一或更多个电气信号在第一节点及第二节点之间传送及转换,其中第一节点由第一电源供应供应电源,第二节点则由在低于第一电源供应之电位之电位之第二电源供应供应电源,此电脑系统包含一转换开关电路,其包括:一传送电晶体,其汲极耦合至第一节点而源极则耦合至第二节点;及一闸极控制电路,耦合至传送电晶体之闸极,其中,闸控制电路连接并主动钳位传送电晶体之闸极至具有低于第一电源供应之电位之电位之假轨线。28.一种转换开关电路,用于转换电气信号自一第一节点至一第二节点,其中第一节点系指向电位大于第二电源供应之电位之第一电源供应,第二节点指向第二电源供应,此电路包含:一开关,具有一控制节点;及一控制节点电位调节器,耦合至开关之控制节点,其中控制节点电位调节器主动钳位供应至控制节点之电位于低于第一电源供应之电位之位准。图式简单说明:第1图系用于传送代表各别位元之电气信号之相关转换滙流排开关之简化表示。第2图系简化之电路图,显示包括假轨产生次电路之习知转换开关电路范例之设计。第3图为本发明之转换开关电路之简化表示。第4图为本发明之转换开关电路之简化电路图,显示Prail产生器次电路。第5图为本发明之转换开关电路之假轨信号产生器电路之第一实施例之简化电路图。第6图为显示范例偏压参考电路之第5图之假轨信号产生器电路之简化电路图。第7图为本发明之转换开关电路之假轨信号产生器电路之第二实施例之简化电路图。第8图为本发明之转换开关电路之假轨信号产生器电路之第三实施例之简化电路图。第9图为本发明之转换开关电路之假轨信号产生器电路之第四实施例之简化电路图。第10图为一可选择偏压旁路电路之简化电路图。第11图为具有偏压及旁路选择之本发明之假轨信号产生器电路之一实施例之电路图。 |
