发明名称 用于晶片封装之散热片附加方法
摘要 一种用于晶片封装之散热片附加方法,首先系先提供一基板,其中有复数个半导体积体电路元件以矩阵排列之方式黏贴于基板表面,接着分别将一散热片与基板放置于一模具中,然后注入封胶材料于模具中以包封基板上之半导体积体电路元件,形成一结合散热片之矩阵式封装体;然后自模具中取出结合散热片之矩阵式封装体,并对结合散热片之矩阵式封装体进行切割以形成复数个完成封装之半导体积体电路元件。由于本发明系先由大面积之散热片与矩阵式封装体黏着或结合后再一起切割成型,因此除可以解决散热问题外,并因制程难度降低而使产能提升。
申请公布号 TW518733 申请公布日期 2003.01.21
申请号 TW089106555 申请日期 2000.04.08
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 赵兴华;吴世英;廖冠能;叶进男
分类号 H01L23/34 主分类号 H01L23/34
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种用于晶片封装之散热片附加方法,包括:提供一基板,且有复数个半导体积体电路元件以矩阵排列之方式黏贴于该基板表面;分别将一散热片与该基板放置于一模具中;注入一封胶材料于该模具中以包封该基板上之半导体积体电路元件,形成一结合散热片之矩阵式封装体;自该模具中取出该结合散热片之矩阵式封装体;及对该结合散热片之矩阵式封装体进行切割以形成复数个完成封装之半导体积体电路元件。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该模具包括:一下模具,以放置该基板;及一上模具,以放置该散热片。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中,该散热片系藉真空吸附方式吸附于该上模具中。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该晶片型封装为球格阵列封装。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该散热片系由含铜材料组成。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该散热片系由含铝材料组成。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该散热片表面更包括形成一层铬膜。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该散热片表面更包括形成一层氧化铬膜。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该散热片表面更包括形成一层镍膜。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其更包括对该散热片进行粗糙化处理以形成一粗糙介面。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中于该散热片对应该基板之切割处之位置,系予以形成缺口。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该缺口系朝向该基板表面。13.一种用于晶片封装之散热片附加方法,包括:提供一基板,其中,有复数个半导体积体电路元件以矩阵排列之方式黏贴于该基板表面;提供一散热片,其中,于该散热片之一接触面有复数个凹穴;分别将该散热片与该基板放置于一模具中;注入一封胶材料于该模具中以包封该基板上之半导体积体电路元件,并填入该些凹穴以形成一与该散热片之接触面结合之矩阵式封装体;自该模具中取出该结合散热片之矩阵式封装体;及对该结合散热片之矩阵式封装体进行切割以形成复数个完成封装之半导体积体电路元件。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该些凹穴系以蚀刻该散热片之接触面形成。图式简单说明:第1图系显示一种BGA封装之半导体积体电路元件。第2A至2C图系显示传统用于晶片型封装之散热片附加方法示意图。第3A至3C图系显示本发明之一实施例中用于晶片型封装之散热片附加方法示意图。第4A至4C图系显示本发明之另一实施例中用于晶片型封装之散热片附加方法示意图。第5图系显示一本发明之实施例中矩阵式封装体之剖面图。
地址 高雄市楠梓区加工出口区经三路二十六号