| 主权项 |
1.一种接触孔的制作方法,包括下列步骤:(a)提供一具有导电区域的半导体基底;(b)在上述半导体基底上方形成一绝缘层;(c)选择性蚀刻上述绝缘层以在上述导电区域相对位置形成一第一接触孔;(d)在上述第一接触孔的底部形成一碳氟化物构成的聚合物;(e)利用含氧电浆去除上述碳氟化物构成的聚合物,同时去除上述第一接触孔底部两侧之绝缘层以形成一第二接触孔,该第二接触孔具有趋近笔直的外形轮廓。2.如申请专利范围第1项所述之接触孔的制作方法,其中上述导电区域系当作源极/汲极的离子掺杂区域。3.如申请专利范围第1项所述之接触孔的制作方法,其中上述导电区域系金属导线区域。4.如申请专利范围第1项所述之接触孔的制作方法,其中上述绝缘层系二氧化矽层。5.如申请专利范围第1项所述之接触孔的制作方法,其中上述绝缘层系硼磷矽玻璃层。6.如申请专利范围第1项所述之接触孔的制作方法,其中在形成上述绝缘层之前更包括在半导体基底表面形成一蚀刻停止层的步骤。7.如申请专利范围第6项所述之接触孔的制作方法,其中上述蚀刻停止层系由氮化矽材料构成。8.如申请专利范围第6项所述之接触孔的制作方法,其中上述蚀刻停止层系由氮氧矽化物材料构成。9.如申请专利范围第1项所述之接触孔的制作方法,其中上述步骤(d)系利用含氟、碳气体为反应气体以沈积成为碳氟化物(CxFy)之聚合物。10.如申请专利范围第9项所述之接触孔的制作方法,其中含氟、碳气体系择自C4F8.C2H2,C5F8构成之群组。11.如申请专利范围第9项所述之接触孔的制作方法,其中含氟、碳气体系C4F8与CO之混合气体。12.如申请专利范围第11项所述之接触孔的制作方法,其中含氟、碳气体含有C4F8/Ar/CO的混合气体,而C4F8:Ar:CO的比例为12:400:225。13.如申请专利范围第1项所述之接触孔的制作方法,其中步骤(e)之含氧电浆系O2更包括Ar。14.如申请专利范围第13项所述之接触孔的制作方法,其中含氧电浆的条件为40mtorr/500W/140sccmAr/20sccm O2。图式简单说明:第1A图~第1B图系根据习知技术以形成之接触孔的制造流程剖面图。第2A图~第2D图系根据本发明较佳实施例以形成之接触孔的制造流程剖面图。 |
