以加强的S参数等高图法确认半导体晶圆特性

摘要

本发明为一种系统及其使用方法，以加强的S参数等高图法确认半导体晶圆的特性，采用一代表性的样品晶粒之小信号散发参数量测而产生一晶圆表面的等高图。在晶圆送到后端程序之前，将不符合功能标准的晶粒标示为坏晶粒，未标示的好晶粒则取出并组装成可用的产品。使用加强的S参数等高图法确认晶粒的特性，只有标示为坏晶粒的才被丢弃。于是，不必因晶圆上单一晶粒之失效而废弃整批晶圆晶粒，晶圆筛选良率得以显着提升。晶圆筛选良率的提升则转而提升整体生产良率。

主权项

1.一种确认晶圆特性之方法,该晶圆包含许多晶粒,晶粒含有许多电晶体元件,该方法包含步骤如下:选择部分晶粒作特性确认;量测所选每一晶粒之小信号散发参数资料;及由小信号散发参数资料形成一等高图,以识别每一晶粒是否符合一功能标准。2.如申请专利范围第1项之方法,并含一步骤将不符合功能标准的晶粒加以标示。3.如申请专利范围第1项之方法,晶圆具有诸象限,其中所选的部分晶粒至少由晶圆每一象限选出一晶粒。4.如申请专利范围第1项之方法,其中量测小信号散发参数资料包含将晶圆装上一探针站之步骤。5.如申请专利范围第1项之方法,其中量测小信号散发参数资料是使用一双点探针装置而进行。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该双点探针装置连至一向量网路分析器。7.如申请专利范围第2项之方法,其中将不符合功能标准的晶粒加以标示为在各个晶粒表面点上一能见的墨量。8.如申请专利范围第7项之方法,其中所点的墨完全在各个晶粒的边界之内。9.如申请专利范围第2项之方法,并含一步骤将未标示的晶粒自晶圆取出而用于后面的程序。10.如申请专利范围第9项之方法,其中未标示的晶粒用划割或截锯的方式而取出。11.如申请专利范围第1项之方法,其中该电晶体元件为LDMOS元件。12.一种确认一晶圆上许多晶粒特性之系统,各晶粒包含一电晶体元件,该系统包含:一探针站,其一输入探针连至一晶圆之晶粒上形成的电晶体元件之一输入端,一输出探针连至该电晶体元件之一输出端;一向量网路分析器,连至该输入与输出探针,用以量测连至各输入与输出探针之晶粒的小信号散发参数资料;以及一处理器,连至向量网路分析器,用以将一晶圆上许多晶粒所量测的小信号散发参数资料编成一等高图,该等高图识别各个晶粒符合功能标准与否。13.如申请专利范围第12项之系统,其中该电晶体元件为LDMOS元件。14.如申请专利范围第12项之系统,并含一标示器将不符合一功能标准的一所予晶圆上的晶粒加以标示。15.如申请专利范围第12项之系统,并含一使用者介面。16.如申请专利范围第12项之系统,并含一显示器。17.如申请专利范围第12项之系统,并含一定位机构用以将输入与输出探针相对于一晶圆上的个别晶粒而定位。18.如申请专利范围第17项之系统,其中该定位机构为机械自动定位的。19.如申请专利范围第12项之系统,其中选择一受测晶圆上之晶粒并作图是以该处理器控制的。图式简单说明:图1为表示半导体微晶片制程中四个阶段的简化功能图(节录自Van Zant、Peter的「Microchip Fabrication,APractical Guide to Semiconductor Processing」,第4版,McGrawHill 2000年出版,第85页)。图2之图摘录影响良率的因素以及与某些良率量测点相关的公式(节录自Van Zant、Peter的「MicrochipFabrication,A Practical Guide to Semiconductor Processing」,第4版,McGraw Hill 2000年出版,第135-149页)。图3为目前测试LDMOS功率电晶体晶圆所用的晶圆筛选方法之流程图。图4为本发明用以确认LDMOS晶圆特性之加强S参数等高图方法之流程图。图5之图为一优选双埠网路用以导出第四图中所示方法之小信号散发参数系数(节录自Gonzalez、Guillermo的「Microwave Transistor Amplifiers Analysis andDesign」,第二版,Prentice Hall 1997年出版,第23-24页)。图6为一电脑所产生的显示图,表示一晶圆上之模范等高图。图7为一执行图4的加强S参数等高图方法的系统方块示意图。