| 主权项 |
1.一种积体半导体装置,包括:一单晶矽基板;一覆盖该单晶矽基板之非结晶氧化物材料;一覆盖该非结晶氧化物材料之单晶钙钛矿氧化物材料;一覆盖该单晶钙钛矿氧化物材料之单晶化合物半导体材料;一覆盖该单晶矽基板之信号处理器;一覆盖该单晶矽基板之光源组件,该光源组件可以与信号处理器进行通信;以及一覆盖该单晶矽基板之光学侦测器组件,该光学侦测器组件可以与信号处理器进行通信。2.如申请专利范围第1项之积体半导体装置,其中该信号处理器系形成覆盖于该单晶钙钛矿氧化物材料。3.如申请专利范围第1项之积体半导体装置,其中该信号处理器系形成覆盖于该单晶化合物半导体材料。4.如申请专利范围第1项之积体半导体装置,其中该光源组件系形成覆盖于该单晶钙钛矿氧化物材料。5.如申请专利范围第1项之积体半导体装置,其中该光源组件系形成覆盖于该单晶化合物半导体材料。6.如申请专利范围第1项之积体半导体装置,其中该光学侦测器组件系形成覆盖于该单晶钙钛矿氧化物材料。7.如申请专利范围第1项之积体半导体装置,其中该光学侦测器组件系形成覆盖于该单晶化合物半导体材料。8.如申请专利范围第1项之积体半导体装置,其中该信号处理器、该光源组件、以及该光学侦测器组件系邻近一光储存媒体,以便于读取该光储存媒体上所储存的资料。9.如申请专利范围第1项之积体半导体装置,其中该信号处理器以及该光源组件系邻近一光储存媒体,以便于将资料写入该光储存媒体。10.一种积体半导体装置之制造及操作方法,包括:提供一单晶矽基板;沉积一单晶钙钛矿氧化物膜覆盖该单晶矽基板,该膜厚度小于造成应变瑕疵的材料厚度;在该单晶钙钛矿氧化物膜以及该单晶矽基板之间的界面处形成一至少含有矽及氧的非结晶氧化物中间层;磊晶形成一单晶化合物半导体层覆盖该单晶钙钛矿氧化物膜;形成一积体电路覆盖该单晶矽基板;形成一光源组件覆盖该单晶矽基板;及形成一光学侦测器组件覆盖该单晶矽基板。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该信号处理器系形成覆盖于该单晶钙钛矿氧化物材料。12.如申请专利范围第10项之方法,其中该信号处理器系形成覆盖于该单晶化合物半导体材料。13.如申请专利范围第10项之方法,其中该光源组件系形成覆盖于该单晶钙钛矿氧化物材料。14.如申请专利范围第10项之方法,其中该光源组件系形成覆盖于该单晶化合物半导体材料。15.如申请专利范围第10项之方法,其中该光学侦测器组件系形成覆盖于该单晶钙钛矿氧化物材料。16.如申请专利范围第10项之方法,其中该光学侦测器组件系形成覆盖于该单晶化合物半导体材料。17.如申请专利范围第10项之方法,进一步包括:将该信号处理器、该光源组件、以及该光学侦测器组件放置邻近一光储存媒体,以便于读取储存于该光储存媒体中的资料。18.如申请专利范围第10项之方法,进一步包括:将该信号处理器及该光源组件放置邻近一光储存媒体,以便于将资料写入该光储存媒体。图式简单说明:图1.2.及3所示的系根据本发明各个具体实施例之装置结构的交叉剖面图;图4所示的系最大可达到的薄膜厚度及主晶体与生长结晶覆盖层之间的晶格不匹配的关系图;图5所示的系具有单晶容纳缓冲层结构之高解析度透射式电子显微照相(Transmission Electron Micrograph,TEM);图6所示的系具有单晶容纳缓冲层结构之x射线衍射谱;图7所示的系具有非结晶氧化层结构的高解析度透射式电子显微照相;图8所示的系具有非结晶氧化层结构的x射线衍射谱;图9-12所示的系根据本发明另一具体实施例之装置结构形成之交叉剖面图;图13-16所示的系图9-12所示之装置结构之可能分子链结结构;图17-20所示的系根据本发明另一具体实施例之装置结构形成之交叉剖面图;图21-23所示的系根据本发明之装置结构之另一具体实施例形成之交叉剖面图;图24.25所示的系根据本发明各种具体实施例使用之装置结构之交叉剖面图;图26-30所示的系具有根据此处所示之化合物半导体部份、双极性部份、以及MOS部份之积体电路部份之交叉剖面图;图31-37所示的系具有根据此处所示之半导体雷射与MOS电晶体之另一积体电路部份之交叉剖面图;图38及39所示的系根据本发明之各种具体实施例使用之另外装置结构之交叉剖面图;以及图40所示的系本发明用以与光储存碟片互动之积体电路之交叉剖面图。 |
