发明名称 LITHIUM TANTALATE SINGLE CRYSTAL GROWTH DEVICE AND GROWTH METHOD
摘要 저렴하고, 미세한 기포, 서브그레인의 발생이 없고, 더 수명이 긴 단결정 육성 장치 및 육성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 도가니(4)의 원료를 저항 가열 히터(6)에 의해 가열하여 용융된 원료 융액(5)에 종결정(3)을 접촉시킨 후 종결정(3)을 끌어올려 단결정을 육성시키는 탄탈산 리튬 단결정의 육성 장치가 있고, 도가니(4)는 텅스텐, 몰리브덴 또는 탄탈로 이루어진 도가니 본체(4a)의 안쪽 표면에 로듐 함량이 25-45 % (질량% 이하 같다)의 Pt-Rh 합금으로 이루어진 피복층(4b)을 가지고 있다.
申请公布号 KR20160128381(A) 申请公布日期 2016.11.07
申请号 KR20167027016 申请日期 2015.07.14
申请人 FUKUDA CRYSTAL LABORATORY 发明人 FUKUDA TSUGUO
分类号 C30B15/10;C30B15/12;C30B15/32;C30B35/00 主分类号 C30B15/10
代理机构 代理人
主权项
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