| 主权项 |
1.一种形成双镶嵌的方法,其制程步骤包括有:a.提供一已完成前段制程的半导体基板,形成一层第一介电层,并在所述第一介电层中形成第一金属连线;b.在所述第一介电层和第一金属连线之上陆续形成阻障层、第二介电层、和硬式护罩;c.利用微影技术定义出开口的位置,再利用非等向性蚀刻技术对所述硬式护罩进行部分蚀刻;d.利用微影技术定义出通孔的位置,再利用非等向性蚀刻技术对所述硬式护罩进行部分蚀刻;e.利用非等向性蚀刻技术将所述开口内之所述硬式护罩全部蚀刻;f.利用非等向性蚀刻技术对所述第二介电层进行蚀刻;以所述阻障层做为蚀刻终点;以及g.利用非等向性蚀刻技术将所述通孔内之所述阻障层去除。2.如申请专利范围第1项所述之形成双镶嵌的方法,其中所述第二介电层是多孔性低介电常数介电层。3.如申请专利范围第1项所述之形成双镶嵌的方法,其中所述第二介电层属于非多孔性低介电常数介电层。4.如申请专利范围第1项所述之形成双镶嵌的方法,其中所述硬式护罩系碳矽化物(silicon-carbide)。5.如申请专利范围第1项所述之形成双镶嵌的方法,其中所述硬式护罩系氮氧化矽(oxynitride)。6.如申请专利范围第1项所述之形成双镶嵌的方法,其中所述硬式护罩系氮化矽(nitride)。7.如申请专利范围第1项所述之形成双镶嵌的方法,其中步骤e所述非等向性蚀刻技术系使用含有CHXFY/Ar/O2之电浆做为蚀刻气体。8.一种形成双镶嵌的方法,其制程步骤包括有:a.提供一已完成前段制程的半导体基板,形成一层第一介电层,并在所述第一介电层中形成第一金属连线;b.在所述第一介电层和第一金属连线之上陆续形成阻障层、第二介电层、和硬式护罩;c.利用微影技术定义出开口的位置,再利用非等向性蚀刻技术对所述硬式护罩进行部分蚀刻;d.利用微影技术定义出通孔的位置,再利用非等向性蚀刻技术对所述硬式护罩进行部分蚀刻;e.利用非等向性蚀刻技术将所述开口内之所述硬式护罩全部蚀刻,其中所述非等向性蚀刻技术系使用含有CHXFY/Ar/O2之电浆做为蚀刻气体;f.利用非等向性蚀刻技术对所述第二介电层进行蚀刻,以所述阻障层做为蚀刻终点;以及g.利用非等向性蚀刻技术将所述通孔内之所述阻障层去除。9.如申请专利范围第8项所述之形成双镶嵌的方法,其中所述第二介电层是多孔性低介电常数介电层。10.如申请专利范围第8项所述之形成双镶嵌的方法,其中所述第二介电层属于非多孔性低介电常数介电层。11.如申请专利范围第8项所述之形成双镶嵌的方法,其中所述硬式护罩系碳矽化物(silicon-carbide)。12.如申请专利范围第8项所述之形成双镶嵌的方法,其中所述硬式护罩系氮氧化矽(oxynitride)。13.如申请专利范围第8项所述之形成双镶嵌的方法,其中所述硬式护罩系氮化矽(nitride)。图式简单说明:图一为习知技艺中形成双镶嵌之制程的示意图。图二A是本发明制程中利用微影技术定义出开口的位置之制程的剖面示意图。图二B是本发明制程中利用非等向性蚀刻技术对所述硬式护罩进行部分蚀刻,以形成初级开口之制程的剖面示意图。图二C是本发明制程中去除第一光阻之制程的剖面示意图。图二D是本发明制程中利用微影技术定义出通孔的位置之制程的剖面示意图。图二E是本发明制程中利用非等向性蚀刻技术对所述硬式护罩进行部分蚀刻,以形成初级通孔之制程的剖面示意图。图二F是本发明制程中去除第二光阻之制程的剖面示意图。图二G是本发明制程中利用非等向性蚀刻技术对所述硬式护罩进行穿透蚀刻,以形成二级开口之制程的剖面示意图。图二H是本发明制程中利用非等向性蚀刻技术继续对所述第二介电层进行蚀刻,以所述阻障层做为蚀刻终点之制程的剖面示意图。图二I是本发明制程中利用非等向性蚀刻技术将所述三级通孔内之阻障层去除之制程的剖面示意图。 |
