| 主权项 |
1.一种低介电常数多孔结构绝缘层的制造方法,包括:提供一晶片;于该晶片上涂布一胶体层,该胶体层系由复数个溶液、一不可萃取的材料与一溶剂互相混合而成;以及利用一次临界乾燥法(Subcritical Drying),去除该胶体层中一欲萃取的材料,以使该胶体层形成一低介电常数之多孔结构绝缘层。2.如申请专利范围第1项所述之低介电常数多孔结构绝缘层的制造方法,其中利用该次临界乾燥法去除该欲萃取的材料的步骤包括:提供一密闭腔体;将该晶片置于该密闭腔体内;加热该密闭腔体至该欲萃取的材料的次临界温度,且控制该密闭室内之压力达到该欲萃取的材料的次临界压力,以使该晶片上的该胶体层中的该欲萃取的材料萃取成为一蒸气;以及将该蒸气由该密闭腔体中去除。3.如申请专利范围第2项所述之低介电常数多孔结构绝缘层的制造方法,其中加热该密闭室的加热速率在每小时2℃~60℃之间。4.如申请专利范围第2项所述之低介电常数多孔结构绝缘层的制造方法,其中将该蒸气由该密闭室中去除的步骤系保持在一固定温度下进行。5.如申请专利范围第2项所述之低介电常数多孔结构绝缘层的制造方法,其中利用该次临界乾燥法去除该欲萃取的材料的步骤之后更包括:净化该密闭腔体;冷却该晶片;以及将该晶片由该密闭腔体中取出。6.如申请专利范围第5项所述之低介电常数多孔结构绝缘层的制造方法,其中冷却该晶片的步骤包括在将该晶片由该密闭室中取出之前,降低温度至常温。7.如申请专利范围第5项所述之低介电常数多孔结构绝缘层的制造方法,其中净化该密闭室的步骤包括使用一惰性气体至少清洁一分钟。8.如申请专利范围第7项所述之低介电常数多孔结构绝缘层的制造方法,其中该惰性气体包括氮气。9.如申请专利范围第1项所述之低介电常数多孔结构绝缘层的制造方法,其中该溶剂包括乙醇,异丁醇,2-戊醇与2,2,4-三甲基戊烷其中之一。10.一种低介电常数多孔结构绝缘层的制造方法,包括:提供一晶片,该晶片上已形成有预先设定的元件;混合复数个溶液与一不可萃取的材料于一溶剂中,以形成一胶体层;将该胶体层涂布于该晶片上;将该晶片置于一密闭容器中;加热该密闭容器至该胶体层中一欲萃取的材料的次临界温度,且控制该密闭容器内之压力达到该欲萃取的材料的次临界压力,以使该密闭容器中的液体与该胶体层中的该欲萃取的材料萃取成为一蒸气;以及将该蒸气由该密闭容器中去除,直到该密闭容器内的压力降至常压。11.如申请专利范围第10项所述之低介电常数多孔结构绝缘层的制造方法,其中将该蒸气由该密闭容器中去除的步骤系保持在一固定温度下进行。12.如申请专利范围第10项所述之低介电常数多孔结构绝缘层的制造方法,其中将该蒸气由该密闭容器中去除之步骤后更包括:利用一惰性气体净化该密闭容器;冷却该密闭容器直到该晶片的温度降至常温,以使该胶体层变为包含该不可萃取的材料的一多孔结构绝缘层;以及将该晶片由该密闭容器中取出。13.如申请专利范围第12项所述之低介电常数多孔结构绝缘层的制造方法,其中利用该惰性气体净化该密闭容器的步骤包括使用该惰性气体至少清洁一分钟。14.如申请专利范围第12项所述之低介电常数多孔结构绝缘层的制造方法,其中该惰性气体包括氮气。15.如申请专利范围第10项所述之低介电常数多孔结构绝缘层的制造方法,其中该溶剂包括乙醇,异丁醇,2-戊醇与2,2,4-三甲基戊烷其中之一。16.如申请专利范围第10项所述之低介电常数多孔结构绝缘层的制造方法,其中加热该密闭室的加热速率在每小时2℃~ 60℃之间。17.一种具有多孔结构绝缘层的晶片,包括:一晶片;以及一多孔结构绝缘层,位于该晶片上,其中该多孔结构绝缘层的材质包括一次临界乾燥法(Subcritical Drying)所形成之低介电常数材质。图式简单说明:第1图是依照本发明一较佳实施例低介电常数多孔结构绝缘层的胶体制作流程图;以及第2图是依照本发明一较佳实施例一种制造低介电常数多孔结构绝缘层之步骤流程图。 |
