| 主权项 |
1.一种液晶显示装置的制造方法,其包含步骤:图样化一图素电极,用来施加电场至液晶;图样化一接线,其用来传送电气信号到该图素电极;以及图样化传导部分,其形成具用来改善该液晶保留特性之该图素电极的储存电容器,其中在该接线图样化步骤中,至少部分的图样化处理是由分割成复数个分割区域来进行,并对该分割区域的分割边界部分设定,以免重叠至少部分该接线并在该接线延伸的方向中延伸,以及在该传导部分图样化步骤中或该图素电极图样化步骤中,至少部分的图样处理是由分割成复数个分割区域来执行的,并对该分割区域的分割边界部分设定,以实际地重叠该储存电容器并在该接线延伸的方向中延伸。2.如申请专利范围第1项的制造方法,其中在次图素中至少一该分割边界部分设定为非线性。3.如申请专利范围第1及2项中任一项的制造方法,其中对至少一个该分割边界部分设定,以便重叠信号线与闸极线的交叉处。4.如申请专利范围第1及2项中任一项的制造方法,其中至少一该分割边界部分包含:近似平行于该接线的第一部份,该第一部份不重叠该接线;以及与第一部份接续形成的第二部分,其与该第一部份有一特定角度的,以及该第二部分设定与第一部份有一指定角度,这样就不会实际重叠该储存电容器。5.如申请专利范围第1项的制造方法,其中图样化步骤中为该分割区域执行的图样化处理是光敏树脂的曝光处理。6.如申请专利范围第5项的制造方法,其中该分割边界部分在所有的曝光处理中设定为相同的。7.如申请专利范围第1项的制造方法,其中在该接线图样化步骤中的该分割边界部分设定成与传导部分图样化步骤与该图素电极图样化步骤的分割边界部分不同。8.如申请专利范围第1项液晶显示装置的制造方法,其中在该传导部分图样化步骤中以及该图素电极图样化步骤,至少部分的图样化处理是由分割成为复数个分割区域来进行的,且对该分割区域的分割边界部分设定,以免实际重叠该储存电容器并在该接线延伸的方向中延伸。9.如申请专利范围第1项的制造方法,其中该接线为信号线,该传导部分是与闸极线连续形成的传导部分,至少一该分割边界部分包含:在次图素中近似平行于该信号线延伸的第一部份;以及与第一部份连续形成的第二部份,以与第一部份有指定角度的,对该第二部份设定与第一部份有指定角度,以免实际重叠该储存电容器,以及对该分割边界部分设定,以便重叠该闸极线与该信号线的交叉处。10.如申请专利范围第9项的制造方法,其中该分割边界部分还包含分割边界部分近似垂直于该接线的延伸并设定成不实际重叠该传导部分及该闸极线。11.一种显示装置的制造方法,其中传导层及绝缘层在一绝缘基板上图样化来以矩阵的布局形成复数个次图素,其中至少部分的该图样化处理是由分割成复数个分割区域进行的,以及在该次图素中该分割区域的分割边界部分是定为非线性的。12.如申请专利范围第11项的制造方法,其中为该复数个分割区域进行的图样化处理是光敏树脂的曝光处理。13.一种液晶显示装置,其包含:用来施加电场到液晶的图素电极;用来传送电气信号到该图素电极的接线;以及形成具有该图素电极的储存电容器以改善该液晶的保留特性的传导部分,其中在该接线中的至少部分图样化处理是由分割成复数个分割区域进行的,且对该分割区域的分割边界部分设定,以免重叠至少部分的该接线并在该接线延伸的方向中延伸,以及至少部分的图样化处理是在该图素电极或该传导部分中由分割成复数个分割区域进行的,且对该分割区域的分割边界部分设定,以免实际重叠该储存电容器并在该接线延伸的方向中延伸。图式简单说明:图1为显示背景技艺中次图素组成的概要图示。图2为显示背景技艺中分割曝光的概要图示。图3A及3B为显示第一具体实例中次图素的结构的概要图示。图4为显示第一具体实例中分割曝光的概要图示。图5A及5B为第一具体实例中彼此重叠之分割区域的区域放大图示。图6为显示第一具体实例中分割边界部分的概要图示。图7为显示第二具体实例中分割边界部分的概要图示。图8为显示第二具体实例中分割边界部分的概要图示。图9为显示第一具体实例中液晶显示装置的概要图示。 |
