| 主权项 |
1.一种肖特基整流器,包括:一具有第一与第二对立面的半导体区域,该半导体区域包括一邻近于第一面之第一导电型阴极区域及一邻近于第二面之该第一导电型的漂移区域,该漂移区域具有比该阴极区域低的净掺杂浓度;一或更多沟槽,其自该第二面延伸进入该半导体区域且界定一或更多在该半导体区域中的台面;一绝缘区域,其邻近于在该沟槽之下部分中的半导体区域;及一阳极,其系(a)邻近于在该第二面的半导体区域且形成肖特基整流接触,(b)邻近于在该沟槽上部分中的半导体区域且形成肖特基整流接触,及(c)邻近于在该沟槽下部分中的绝缘区域。2.如申请专利范围第1项之肖特基整流器,其中该半导体是矽。3.如申请专利范围第1项之肖特基整流器,其中该第一导电型是n型导电。4.如申请专利范围第1项之肖特基整流器,其中该沟槽延伸进入该阴极区域5.如申请专利范围第4项之肖特基整流器,其中该沟槽的下部分延伸于该阴极区域与该漂移区域之间。6.如申请专利范围第1项之肖特基整流器,其中该绝缘区域包括二氧化矽。7.如申请专利范围第6项之肖特基整流器,其中该二氧化矽是淀积的二氧化矽。8.如申请专利范围第6项之肖特基整流器,其中该二氧化矽是由该半导体区域热生长。9.如申请专利范围第1项之肖特基整流器,其中一聚矽区域配置于该绝缘区域上,且形成该阳极的一部分。10.一种形成沟槽式肖特基整流器之方法,包括:形成一具有第一与第二对立面的半导体区域,该半导体区域包括一邻近于第一面之第一导电型阴极区域及一邻近于第二面之该第一导电型的漂移区域,该漂移区域具有比该阴极区域低的净掺杂浓度;形成一或更多沟槽,其自该第二面延伸进入该半导体区域,该沟槽界定一或更多在该半导体区域中的台面;形成一绝缘区域,其邻近于在该沟槽之下部分中的半导体区域;及形成一阳极,其系(a)邻近于在该第二面的半导体区域且形成肖特基整流接触,(b)邻近于在该沟槽上部分中的半导体区域且形成肖特基整流接触,及(c)邻近于在该沟槽下部分中的绝缘区域。11.如申请专利范围第10项之方法,其中又包括一在该半导体区域第一面上的阴极。12.如申请专利范围第10项之方法,其中形成该半导体区域的步骤包括提供一半导体基材,该半导体基材对应于该阴极区域;及于该基材上生长一磊晶半导体层,该磊晶层对应于该漂移区域。13.如申请专利范围第10项之方法,其中形成该沟槽的步骤包括的步骤是形成一在半导体区域第二面上方的图案化罩幕层,及蚀刻通过该罩幕层的沟槽。14.如申请专利范围第10项之方法,其中该沟槽的形成是俾使它们延伸进入该阴极区域。15.如申请专利范围第14项之方法,其中该绝缘区域的形成是俾使它自该阴极区域延伸进入该漂移区域。16.如申请专利范围第10项之方法,其中形成该绝缘区域的步骤包括提供一在该第二面上方且在该沟槽中的氧化物层;及蚀刻该氧化物层部分。17.如申请专利范围第16项之方法,其中又包括提供一光阻图案于氧化物层上,蚀刻未由该光阻遮盖的氧化物层部分,及移除该光阻。18.如申请专利范围第17项之方法,其中该氧化物层是热生长。19.如申请专利范围第16项之方法,其中又包括的步骤是提供一聚矽层于该氧化物层上,蚀刻该聚矽层,俾使暴露在该第二面上方且在该沟槽上部分上方的氧化物层部分;及蚀刻该氧化物层,俾使移除在该第二面上方且在该沟槽上部分上方的氧化物层部分。20.如申请专利范围第19项之方法,其中该氧化物层是热生长。21.如申请专利范围第10项之方法,其中形成该绝缘区域的步骤包括淀积一氧化物层。22.如申请专利范围第21项之方法,其中又包括的步骤是淀积四乙基正矽酸盐层于该第二面上及在该沟槽中;蚀刻该四乙基正矽酸盐层,直到它自该第二表面及该沟槽的上部分移除为止;及将该四乙基正矽酸盐层转换成为高密度二氧化矽层。23.如申请专利范围第1项之肖特基整流器,其中该沟槽的下部分对应于该沟槽深度的大约25至40%。24.如申请专利范围第1项之肖特基整流器,其中又包括一设在第一面上的阴极。25.如申请专利范围第10项之方法,其中该沟槽的下部分对应于该沟槽深度的大约25至40%。图式简单说明:图1绘示一依据先前技艺的沟槽式金氧半导体障壁肖特基整流器剖视图。图2是依据本发明之一实施例的沟槽式肖特基整流器剖视图。图3是依据本发明之一实施例的沟槽式肖特基整流器剖视图。图4是依据本发明之一实施例的沟槽式肖特基整流器剖视图。图5是依据本发明之一实施例的沟槽式肖特基整流器剖视图。图6是依据本发明之一实施例的沟槽式肖特基整流器剖视图。图7是依据本发明之一实施例的沟槽式肖特基整流器剖视图。图8是依据本发明之一实施例的沟槽式肖特基整流器剖视图。图9是依据本发明之一实施例的沟槽式肖特基整流器剖视图。图10A-10D是剖视图,绘示形成依据本发明一实施例之图2的沟槽式肖特基整流器之方法。图11A-11D是剖视图,绘示形成依据本发明一实施例之图3的沟槽式肖特基整流器之方法。图12A-12C是剖视图,绘示形成依据本发明一实施例之图6的沟槽式肖特基整流器之方法。 |
