| 主权项 |
1.一种无缺陷的浅沟渠隔离制程,其步骤包括:提供一基底;形成一具特定图案之硬罩幕层于该基底上;蚀刻未被该硬罩幕层所覆盖之该基底,并且形成一浅沟渠;利用热氧化法于该浅沟渠内成长一内衬热氧化层;在温度大于1000℃之氮气环境下施一热退火处理约2小时;以及于该浅沟渠内填入一绝缘物质。2.如申请专利范围第1项所述之无缺陷的浅沟渠隔离制程,其中该基底是矽基底。3.如申请专利范围第2项所述之无缺陷的浅沟渠隔离制程,其中该基底表面更包含有半导体元件。4.如申请专利范围第1项所述之无缺陷的浅沟渠隔离制程,其中该硬罩幕层之形成步骤包括:依序形成一垫氧化层和一氮化物层于该基底上;以及利用微影程序和蚀刻技术,定义该氮化物层和该垫氧化物层,形成一具特定图案之硬罩幕层。5.如申请专利范围第1项所述之无缺陷的浅沟渠隔离制程,其中该氮化物层系由氮化矽所构成。6.如申请专利范围第1项所述之无缺陷的浅沟渠隔离制程,其中该热氧化法可为乾式或湿式氧化法。7.如申请专利范围第6项所述之无缺陷的浅沟渠隔离制程,其中该湿式氧化法可于温度介于800-850℃且充满氧气和氢气之环境中进行。8.如申请专利范围第6项所述之无缺陷的浅沟渠隔离制程,其中该乾式氧化法可于温度介于900-950℃且充满氧气之环境中进行。9.一种无缺陷的浅沟渠隔离无缺陷的浅沟渠隔离制程,其步骤包括:提供一基底;依序形成一垫氧化层和一氮化物层于该基底上;利用微影程序和蚀刻技术,定义该氮化物层和该垫氧化物层,形成一具特定图案之硬罩幕层;乾蚀刻未被该硬罩幕层所覆盖之该基底,并且形成一浅沟渠;利用热氧化法于该浅沟渠内成长一内衬氧化层;在温度大于1000℃之氮气环境下施一热退火处理约2小时;以及于该浅沟渠内填入一绝缘物质。10.如申请专利范围第9项所述之无缺陷的浅沟渠隔离制程,其中该基底是矽基底。11.如申请专利范围第10项所述之无缺陷的浅沟渠隔离制程,其中该基底表面更包含有半导体元件。12.如申请专利范围第9项所述之无缺陷的浅沟渠隔离制程,其中该氮化物层系由氮化矽所构成。13.如申请专利范围第9项所述之无缺陷的浅沟渠隔离制程,其中该热氧化法可为乾式或湿式氧化法。14.如申请专利范围第13项所述之无缺陷的浅沟渠隔离制程,其中该湿式氧化法可于温度介于800-850℃且充满氧气和氢气之环境中进行。15.如申请专利范围第13项所述之无缺陷的浅沟渠隔离制程,其中该乾式氧化法可于温度介于900-950℃且充满氧气之环境中进行。16.如申请专利范围第9项所述之无缺陷的浅沟渠隔离制程,其中该绝缘物质是氧化物。图式简单说明:第1A-1D图显示的是习知一种浅沟渠隔离剖面制程。第2A-2E图显示的是根据本发明之一较佳实施例的浅沟渠隔离剖面制程。 |
