| 主权项 |
1.一种基板处理装置,包含有:一基板固持机构,系用以固持被处理基板,俾于其表面供给处理液者;一容器,系供收容该基板固持机构,其藉由底部排气而将被处理基板周围之空气强制排除者;及一气流控制板,系设置于该容器内,且包围在接近该被处理基板之外周的外周,以控制被处理基板附近的气流。2.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中该基板固持机构并具有一旋转卡盘,以驱动该被处理基板旋转,而藉离心力使供给至该被处理基板上之处理液扩散。3.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中该气流控制板至少与该被处理基板相对之一侧系置于与该被处理基板大略等高之位置。4.如申请专利范围第3项之基板处理装置,其中该气流控制板系弯曲而形成于该容器杯状物底部侧,并随着远离基板而逐渐增加其倾斜度。5.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中该气流控制板设有气流流通部,以引导被处理基板附近之气流至该容器之底部;此气流流通部则系设置成与该被处理基板之外周隔一预定之尺寸者。6.如申请专利范围第5项之基板处理装置,其中该气流流通部并具有以预定间隔设置于该气流控制板上之通孔。7.一种基板处理装置,其系用于处理具有第1面及第2面之基板者,该基板处理装置包含有:一固持/旋转部,系用以固持该基板之第1面并加以旋转者;一供液部,系用以对该基板之第2面供液者;及一气流控制板,系配置成包围在该经固持而可旋转之基板外周,此外,该气流控制板并具有一与第2面几乎等高之第3面,而该第3面上则设置有通孔。8.如申请专利范围第7项之基板处理装置,其中该第3面系位于较该第2面高之位置。9.如申请专利范围第8项之基板处理装置,其中该第3面与该第2面之高度差为约0.5mm~约1.0mm。10.如申请专利范围第7项之基板处理装置,其中于该被固持及旋转之基板外周与该气流控制板间并设有一预定之间隙。11.如申请专利范围第7项之基板处理装置,其中该气流控制板在该被固持及旋转之基板之外周方向的截面形状系越远离基板外周而越向下增加其厚度。12.如申请专利范围第11项之基板处理装置,其中该截面形状系呈三角形者。13.如申请专利范围第12项之基板处理装置,其中该截面形状呈三角形之该气流控制板,其靠近基板之顶部内角为约18~约35。14.如申请专利范围第7项之基板处理装置,其中该通孔为复数个,系设置成与该基板之外周隔一预定之尺寸,并以预定之间隔设置于该气流控制板上,此外,该复数个通孔并贯通至该气流控制板之下部。15.如申请专利范围第7项之基板处理装置,其中该通孔系呈环状之开缝,并设置成与该基板之外周隔一预定之尺寸者。16.如申请专利范围第7项之基板处理装置,更包含有一回转驱动部,系用以驱动该气流控制板旋转者。17.如申请专利范围第16项之基板处理装置,其中该旋转驱动部系使该气流控制板与该基板同步旋转。18.如申请专利范围第7项之基板处理装置,更包含有一容器,系供收容该固持及旋转部,并藉由底部排气而将被处理基板周围之空气强制排除者。19.一种基板处理装置,其系用于处理具有第1面及第2面之基板者,该基板处理装置包含有:一固持/旋转部,系用以固特该基板之第1面并加以旋转者;一供液部,系用以对该基板之第2面供液者;及一气液分离板,系配置成包围在该经固持而可旋转之基板外周,俾使由该基板外周向外侧流动之气体通过第2面上,且使由该基板外周向外侧流动之液体通过第1面上。20.如申请专利范围第19项之基板处理装置,其中该气液分离板上并设置有用以形成由第2面向第1面流动之气流的通孔。图式简单说明:第1图系本发明之一实施形态中之光阻液涂布装置之概略构造图。第2图系第1图所示之光阻液涂布装置之平面图。第3图系一实施形态中之晶圆W外缘部与气流控制板之放大纵截面图。第4图系一实施形态中之300mm晶圆膜厚激增之验证结果图。第5图系本发明中适用于光阻液涂布装置之涂布显影处理装置之平面图。第6图系第5图所示之涂布显影处理装置之侧面图。第7图系用以说明第5图所示之涂布显影处理装置之功能之正面图。第8图系习知光阻液涂布装置之平面图。第9图系习知光阻液涂布装置之晶圆外缘部气流状态之模式图。第10图系本发明之另一实施形态中之光阻液涂布装置之放大截面图。第11图系第10图所示之光阻液涂布装置之平面图。第12图系第10图及第11图所示之光阻液涂布装置之变形例之平面图。第13图系本发明进一步之另一实施形态中之光阻液涂布装置之侧面图。第14图系第13图所示之光阻液涂布装置之说明图。 |
