| 主权项 |
1.一种沉积粗糙铜层之电解镀铜浴槽,包含至少一种选自聚(1,2,3-丙三醇)、聚(2,3-环氧-1-丙醇)及其衍生物组成的组群之聚甘油化合物。2.如申请专利范围第1项之电解镀铜浴槽,其中该至少一种聚甘油化合物具有通式I其中n为>1之整数;以及R1.R2及R3为相同或相异,且系选自H、烷基、醯基、苯基及基组成的组群。3.如申请专利范围第1项之电解镀铜浴槽,其中该至少一种聚甘油化合物具有通式II:其中n为>0之整数,m为>0之整数以及R1.R2.R3.R4为相同或相异,且系选自H、烷基、醯基、苯基及基组成的组群。4.如申请专利范围第1项之电解镀铜浴槽,其中该至少一种聚甘油化合物具有通式III:其中n为>0之整数以及R1.R2.R3.R4为相同或相异,且系选自H、烷基、醯基、苯基及基组成的组群。5.如申请专利范围第2至4项中任一项之电解镀铜浴槽,其中烷基为直链或分支C1-C18烷基,及/或醯基为R5-CO,其中R5为直链或分支C1-C18烷基,苯基或基。6.如申请专利范围第2至4项中任一项之电解镀铜浴槽,其中该铜浴槽含有至少两种聚甘油化合物混合物A,各聚甘油化合物具有通式I、II及III中之至少一者,该混合物A含有至少90%重量比n=4之聚甘油化合物,及至多10%重量比n=3及/或5之聚甘油化合物,混合物A中各种聚甘油化合物之比例总和达100%重量比混合物A。7.如申请专利范围第6项之电解镀铜浴槽,其中于铜浴槽之聚甘油混合物A之浓度系于0.3克/升至1.3克/升之范围。8.如申请专利范围第2至4项中任一项之电解镀铜浴槽,其中该铜浴槽含有至少两种聚甘油化合物混合物B,各聚甘油化合物具有通式I、II及III中之至少一者,该混合物B含有至少40%重量比n=4之聚甘油化合物,及至多50%重量比n=2.3及/或5以及至多20%重量比n=6.7.8及/或9之聚甘油化合物,混合物B中各种聚甘油化合物之比例总和达100%重量比混合物B。9.如申请专利范围第8项之电解镀铜浴槽,其中于铜浴槽之聚甘油混合物B之浓度系于0.7克/升至2.6克/升之范围。10.如申请专利范围第2至4项中任一项之电解镀铜浴槽,其中该铜浴槽含有至少两种聚甘油化合物混合物C,各聚甘油化合物具有通式I、II及III中之至少一者,该混合物C含有30至35%重量比n=4之聚甘油化合物,50至60%重量比n=2.3及/或5以及10至15%重量比n≧6之聚甘油化合物,混合物C中各种聚甘油化合物之比例总和达100%重量比混合C。11.如申请专利范围第10项之电解镀铜浴槽,其中于铜浴槽之聚甘油混合物C之浓度系于0.7克/升至2.6克/升之范围。12.如申请专利范围第1至4项中任一项之电解镀铜浴槽,其中该聚甘油化合物具有分子量系于166至6000克/莫耳之范围。13.一种电沉积粗糙铜层于工作件表面之方法,包括下列方法步骤:a.提供工作件、至少一个阳极以及镀铜浴槽;b.让工作件及至少一个阳极表面分别接触镀铜浴槽c.施加电压于工作件表面与该至少一个阳极间,让相对于至少一个阳极以阴极极性加诸工作件;其中该铜浴槽含有至少一种选自聚(1,2,3-丙三醇)、聚(2,3-环氧-1-丙醇)及其衍生物组成的组群之聚甘油化合物。14.如申请专利范围第13项之方法,其中该至少一种聚甘油化合物具有通式I其中n为>1之整数;以及R1.R2及R3为相同或相异,且系选自H、烷基、醯基、苯基及基组成的组群。15.如申请专利范围第13项之方法,其中该至少一种聚甘油化合物具有通式II其中n为>0之整数;m为>0之整数;以及R1.R2.R3.R4为相同或相异,且系选自H、烷基、醯基、苯基及基组成的组群。16.如申请专利范围第13项之方法,其中该至少一种聚甘油化合物具有通式III:其中n为>0之整数;以及R1.R2.R3.R4为相同或相异,且系选自H、烷基、醯基、苯基及基组成的组群。17.如申请专利范围第14至16项中任一项之方法,其中烷基为直链或分支C1-C18烷基,及/或醯基为R5-CO,其中R5为直链或分支C1-C18烷基。18.如申请专利范围第14至16项中任一项之方法,其中该铜浴槽含有至少两种聚甘油化合物混合物A,各聚甘油化合物具有通式I、II及III中之至少一者,该混合物A含有至少90%重量比n=4之聚甘油化合物,及至多10%重量比n=3及/或5之聚甘油化合物,混合物A中各种聚甘油化合物之比例总和达100%重量比混合物A。19.如申请专利范围第18项之方法,其中于铜浴槽之聚甘油混合物A之浓度系于0.3克/升至1.3克/升之范围。20.如申请专利范围第14至16项中任一项之方法,其中该铜浴槽含有至少两种聚甘油化合物混合物B,各聚甘油化合物具有通式I、II及III中之至少一者,该混合物B含有至少40%重量比n=4之聚甘油化合物,及至多50%重量比n=2.3及/或5以及至多20%重量比n=6.7.8及/或9之聚甘油化合物,混合物B中各种聚甘油化合物之比例总和达100%重量比混合物B。21.如申请专利范围第20项之方法,其中于铜浴槽之聚甘油混合物B之浓度系于0.7克/升至2.6克/升之范围。22.如申请专利范围第14至16项中任一项之方法,其中该铜浴槽含有至少两种聚甘油化合物混合物C,各聚甘油化合物具有通式I、II及III中之至少一者,该混合物C含有30至35%重量比n=4之聚甘油化合物,50至60%重量比n=2.3及/或5以及10至15%重量比n≧6之聚甘油化合物,混合物C中各种聚甘油化合物之比例总和达100%重量比混合C。23.如申请专利范围第22项之方法,其中于铜浴槽之聚甘油混合物C之浓度系于0.7克/升至2.6克/升之范围。24.如申请专利范围第13至16项中任一项之方法,其中该聚甘油化合物具有分子量系于166至6000克/莫耳之范围。25.如申请专利范围第13至16项中任一项之方法,其中该电压变更让脉冲电流流动于工作件与至少一个阳极间。26.如申请专利范围第13至16项中任一项之方法,其中该方法进一步包含于工作件表面之粗糙铜层形成有机涂层。27.如申请专利范围第26项之方法,其中该有机涂层为光阻剂层。图式简单说明:图1表示利用扫描电子显微镜以1000倍放大获得涂层表面相片。于相片上可见明确形成的晶粒。图2表示制造电抛光截面时铜层由材料外侧变迁至镗孔壁放大2500倍之显微相片。由相片可见明确形成的晶粒。 |
