| 发明名称 |
HIGHLY SELECTIVE DEPOSITION OF AMORPHOUS CARBON AS A METAL DIFFUSION BARRIER LAYER |
| 摘要 |
금속 확산 배리어층을 제공하기 위한 방법은, 금속층을 포함하는 기판을 제공하는 단계; 금속층 상에 유전체층을 증착하는 단계; 유전체층에 의해 규정된 측벽들 및 금속층에 의해 규정된 하단 표면을 포함하는, 피처를 유전체층 내에 규정하는 단계; 피처의 측벽들 상에 금속 확산 배리어층을 선택적으로 증착하고 피처의 하단 표면 상에는 금속 확산 배리어층을 증착하지 않는 단계; 및 피처 내에 금속을 증착하는 단계를 포함하고, 금속 확산 배리어층은 비정질 탄소를 포함한다. |
| 申请公布号 |
KR20160130709(A) |
申请公布日期 |
2016.11.14 |
| 申请号 |
KR20160053912 |
申请日期 |
2016.05.02 |
| 申请人 |
LAM RESEARCH CORPORATION |
发明人 |
TANG WEI;PARK, JASON DAEJIN;VAN CLEEMPUT PATRICK A.;DORDI YEZDI |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/02;H01L21/22 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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