发明名称 沉积奈米粒子的方法
摘要 一种沉积奈米粒子的方法,包括下列步骤:提供一基板,于上述基板的一表面上,形成有一有机黏着剂层;以及以旋转涂布法,于形成在上述基板上的上述有机黏着剂层上,形成一自组装奈米薄膜。
申请公布号 TW527696 申请公布日期 2003.04.11
申请号 TW091122292 申请日期 2002.09.27
申请人 行政院国家科学委员会 发明人 刘福鲲;张育诚;陈学礼;柯富祥;朱铁吉;戴宝通
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路四段二七九号三楼;颜锦顺 台北市大安区信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种沉积奈米粒子的方法,包括下列步骤:提供一基板,于该基板的一表面上,形成有一有机黏着剂层;以旋转涂布法,于形成在该基板上的该有机黏着剂层上,形成一自组装奈米薄膜;以及重复上述步骤,制造出复数个沉积有该自组装奈米薄膜的基板。2.如申请专利范围第1项所述之沉积奈米粒子的方法,其中该基板系择自二氧化矽、矽、氧化铝、氧化锡、金属、或表面镀有上述物质的基板。3.如申请专利范围第1项所述之沉积奈米粒子的方法,其中该有机黏着剂层系一端含有NH2或SH官能基的有机物质。4.如申请专利范围第1项所述之沉积奈米粒子的方法,其中该自组装奈米薄膜系择自:金、银、或铜奈米粒子的自组装奈米薄膜。5.如申请专利范围第1项所述之沉积奈米粒子的方法,其中以旋转涂布法,于形成在该基板上的该有机黏着剂层上,形成该自组装奈米薄膜的制程时间为1分钟~10分钟。6.如申请专利范围第1项所述之沉积奈米粒子的方法,其中任取二上述沉积有该自组装奈米薄膜的基板,沉积于上述二沉积有该自组装奈米薄膜的基板上的奈米粒子之粒径变异在显着水准为0.05时无显着差异。7.如申请专利范围第1项所述之沉积奈米粒子的方法,其中任取二上述沉积有该自组装奈米薄膜的基板,沉积于上述二沉积有该自组装奈米薄膜的基板上的奈米粒子之粒径变异在显着水准为0.01时无显着差异。8.一种沉积奈米粒子于表面含氧化物的基板的方法,包括下列步骤:于该表面含氧化物的基板的一表面上,形成有一有机黏着剂层;以旋转涂布法,于形成在该表面含氧化物的基板上的该有机黏着剂层上,形成一自组装奈米薄膜;以及重复上述步骤,制造出复数个沉积有该自组装奈米薄膜的表面含氧化物的基板。9.如申请专利范围第8项所述之沉积奈米粒子于表面含氧化物的基板的方法,其中该有机黏着剂层系一端含有NH2或SH官能基的矽烷化合物。10.如申请专利范围第8或9项所述之沉积奈米粒子于表面含氧化物的基板的方法,其中该有机黏着剂层系择自3-氨基丙基三甲氧基矽烷、3-(2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基矽烷、或上述之组合。11.如申请专利范围第8项所述之沉积奈米粒子于表面含氧化物的基板的方法,其中该自组装奈米薄膜系择自:金、银、或铜奈米粒子的自组装奈米薄膜。12.如申请专利范围第8或11项所述之沉积奈米粒子于表面含氧化物的基板的方法,其中该自组装奈米薄膜系金奈米粒子的自组装奈米薄膜。13.如申请专利范围第8项所述之沉积奈米粒子于表面含氧化物的基板的方法,其中以旋转涂布法,于形成在该表面含氧化物的基板上的该有机黏着剂层上,形成该自组装奈米薄膜的制程时间为1分钟~10分钟。14.如申请专利范围第8项所述之沉积奈米粒子于表面含氧化物的基板的方法,其中任取二上述沉积有该自组装奈米薄膜的表面含氧化物的基板,沉积于上述二沉积有该自组装奈米薄膜的表面含氧化物的基板上的奈米粒子之粒径变异在显着水准为0.05时无显着差异。15.如申请专利范围第8项所述之沉积奈米粒子于表面含氧化物的基板的方法,其中任取二上述沉积有该自组装奈米薄膜的表面含氧化物的基板,沉积于上述二沉积有该自组装奈米薄膜的表面含氧化物的基板上的奈米粒子之粒径变异在显着水准为0.01时无显着差异。16.一种沉积奈米粒子于表面含二氧化矽的基板的方法,包括下列步骤:于该表面含二氧化矽的基板的一表面上,形成有一有机黏着剂层;以旋转涂布法,于形成在该表面含二氧化矽的基板上的该有机黏着剂层上,形成一自组装奈米薄膜;以及重复上述步骤,制造出复数个沉积有该自组装奈米薄膜的表面含二氧化矽的基板。17.如申请专利范围第16项所述之沉积奈米粒子于表面含二氧化矽的基板的方法,其中该有机黏着剂层系一端含有NH2或SH官能基的矽烷化合物。18.如申请专利范围第16或17项所述之沉积奈米粒子于表面含二氧化矽的基板的方法,其中该有机黏着剂层系择自3-氨基丙基三甲氧基矽烷、3-(2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基矽烷、或上述之组合。19.如申请专利范围第16项所述之沉积奈米粒子于表面含二氧化矽的基板的方法,其中该自组装奈米薄膜系择自:金、银、或铜奈米粒子的自组装奈米薄膜。20.如申请专利范围第16或19项所述之沉积奈米粒子于表面含二氧化矽的基板的方法,其中该自组装奈米薄膜系金奈米粒子的自组装奈米薄膜。21.如申请专利范围第16项所述之沉积奈米粒子于表面含二氧化矽的基板的方法,其中以旋转涂布法,于形成在该表面含二氧化矽的基板上的该有机黏着剂层上,形成该自组装奈米薄膜的制程时间为1分钟~10分钟。22.如申请专利范围第16项所述之沉积奈米粒子于表面含二氧化矽的基板的方法,其中任取二上述沉积有该自组装奈米薄膜的表面含二氧化矽的基板,沉积于上述二沉积有该自组装奈米薄膜的表面含二氧化矽的基板上的奈米粒子之粒径变异在显着水准为0.05时无显着差异。23.如申请专利范围第16项所述之沉积奈米粒子于表面含二氧化矽的基板的方法,其中任取二上述沉积有该自组装奈米薄膜的表面含二氧化矽的基板,沉积于上述二沉积有该自组装奈米薄膜的表面含二氧化矽的基板上的奈米粒子之粒径变异在显着水准为0.01时无显着差异。图式简单说明:第1A~1D图为一系列照片与统计图表,用以说明本发明第一实施例中,以习知的浸泡法作为对照组,在二氧化矽基板上所沉积奈米金粒子的粒径分配情形。第2A~2D图为一系列照片与统计图表,用以说明本发明第一实施例中,以本发明之旋转涂布法作为实验组,在二氧化矽基板上所沉积奈米金粒子的粒径分配情形。第3图为一统计图表,用以比较本发明第二实施例中,以习知的浸泡法作为对照组以及以本发明之旋转涂布法作为实验组,在二氧化矽基板上沉积一定量的奈米金粒子所需的沉积时间。
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