| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离(Shallow Trench Isolation;STI)开口之顶端角落圆滑化之方法,至少包含:提供一基材,其中该基材上依序堆叠有一垫氧化层与一氮化矽层,且该基材具有至少一浅沟渠隔离开口并暴露出部分之该基材;进行一溅击制程,系调整适当的一溅击能量、至少一溅击角度、以及一溅击时间,利用复数个中性重离子溅击该至少一浅沟渠隔离开口之复数个顶端角落,使该些顶端角落之一半径加大;以及进行一回火制程,以在该暴露出之该基材之一表面形成一衬垫氧化层。2.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离开口之顶端角落圆滑化之方法,其中该垫氧化层之材料系为二氧化矽(Silicon Oxide;SiO2)。3.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离开口之顶端角落圆滑化之方法,其中该氮化矽层已具有向内缩移所需之一最小关键尺寸,藉以暴露出该些顶端角落。4.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离开口之顶端角落圆滑化之方法,其中进行该溅击制程时,该些中性重离子之来源系为矽(Si)。5.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离开口之顶端角落圆滑化之方法,其中进行该溅击制程时,该些中性重离子之来源系为锗(Ge)。6.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离开口之顶端角落圆滑化之方法,其中进行该溅击制程时,该溅击能量为约30KeV至约70KeV。7.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离开口之顶端角落圆滑化之方法,其中进行该溅击制程时,该至少一溅击角度系以通过该些顶端角落并与该基材垂直之一法线为一基准,至少包含与该法线呈顺时针约7度至约10度之一入射角度,以及与该法线呈逆时针约7度至约10度之另一入射角度。8.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离开口之顶端角落圆滑化之方法,其中该些顶端角落之该半径为约30nm至约50nm。9.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离开口之顶端角落圆滑化之方法,其中该回火制程系利用一快速加热制程(Rapid ThermalProcessing;RTP)。10.一种浅沟渠隔离开口之顶端角落圆滑化之方法,至少包含:提供一基材,其中该基材上具有至少一浅沟渠隔离开口与一氮化矽层;以及进行一溅击制程,系利用复数个中性重离子溅击该至少一浅沟渠隔离开口之复数个顶端角落,使该些顶端角落之一半径加大。11.如申请专利范围第10项所述之浅沟渠隔离开口之顶端角落圆滑化之方法,其中该氮化矽层系已具有向内缩移所需之一最小关键尺寸,藉以暴露出该些顶端角落。12.如申请专利范围第10项所述之浅沟渠隔离开口之顶端角落圆滑化之方法,其中进行该溅击制程时,该些中性重离子之来源系为矽(Si)。13.如申请专利范围第10项所述之浅沟渠隔离开口之顶端角落圆滑化之方法,其中进行该溅击制程时,该些中性重离子之来源系为锗(Ge)。14.如申请专利范围第10项所述之浅沟渠隔离开口之顶端角落圆滑化之方法,其中进行该溅击制程时,系以一溅击能量30KeV至约70KeV。15.如申请专利范围第10项所述之浅沟渠隔离开口之顶端角落圆滑化之方法,其中进行该溅击制程时,系以通过该些顶端角落之一法线为一基准,至少包含与该法线呈顺时针约7度至约10度之一入射角度、以及与该法线呈逆时针约7度至约10度之另一入射角度。16.如申请专利范围第10项所述之浅沟渠隔离开口之顶端角落圆滑化之方法,其中该些顶端角落之该半径为约至约30nm至约50nm。17.如申请专利范围第10项所述之浅沟渠隔离开口之顶端角落圆滑化之方法,其中在该溅击制程后,更包括一回火制程。18.一种浅沟渠隔离开口之顶端角落圆滑化之结构,至少包含:一基材,其中该基材上依序堆叠有一垫氧化层与一氮化矽层,且该基材具有至少一浅沟渠隔离开口并暴露出部分之该基材;以及该至少一浅沟渠隔离结构开口上具有复数个顶端角落,其中该些顶端角落之一半径为约30nm至约50nm。19.如申请专利范围第18项所述之浅沟渠隔离开口之顶端角落圆滑化之结构,其中该氮化矽层已具有向内缩移所需之一最小关键尺寸,藉以暴露出该些顶端角落。图式简单说明:第1图至第3图为习知技术进行浅沟渠隔离之氮化矽层向内缩移之制程剖面图;以及第4图至第8图为本发明之一较佳实施例进行浅沟渠隔离开口之顶端角落圆滑化之制程剖面图。 |
