| 主权项 |
1.一种结像光学系统,其系于像面形成物体面之图像,其特征为:上述结像光学系统包含:折射光学系统与凹面反射镜,构成为来自上述物体面之光,藉上述折射光学系统,经上述凹面反射镜反射后,藉上述折射光学系统于上述像面形成上述物体之图像,上述折射光学系统含负透镜,其至少1折射面形成非球面形状。2.一种结像光学系统,其系于像面形成物体面之图像,其特征为:上述结像光学系统包含:折射光学系统与凹面反射镜,构成为来自上述物体面之光,藉上述折射光学系统,经上述凹面反射镜反射后,藉上述折射光学系统于上述像面形成上述物体之图像,上述折射光学系统从上述物体侧依序包含:正透镜群,具有正折射力;及负透镜群,具有负折射力;上述负透镜群含透镜,至少1折射面形成非球面形状。3.如申请专利范围第2项之结像光学系统,其中上述透镜,至少1折射面形成非球面形状,包括:第1折射面,凹面向上述正透镜群侧;及第2折射面,凸面向上述凹面反射镜群侧。4.如申请专利范围第2项之结像光学系统,其中上述正透镜群含透镜,至少1折射面形成非球面形状。5.如申请专利范围第3项之结像光学系统,其中上述正透镜群含透镜,至少1折射面形成非球面形状。6.如申请专利范围第2项之结像光学系统,其中设上述折射光学系统之焦点距离为fS,上述正透镜群之焦点距离为fGP时,满足0.7<fGP/fS≦1之条件。7.一种结像光学系统,其系于像面形成物体面之图像,其特征为上述结像光学系统包含:折射光学系统,沿一定基准光轴配置;及凹面反射镜;构成来自上述物体面之光,藉上述折射光学系统,经上述凹面反射镜反射后,藉上述折射光学系统于上述像面形成上述物体之图像,上述折射光学系统含折射面,具有形成非球面形状,设沿上述凹面反射镜反射面至上述非球面状折射面之上述基准光轴之距离为L1,上述凹面反射镜反射面至上述物体面之距离为LT时,满足0.03<L1/LT<0.9之条件。8.如申请专利范围第7项之结像光学系统,其中设上述折射光学系统之焦点距离为fS,上述正透镜群之焦点距离为fGP时,满足0.7<fGP/fS≦1之条件。9.一种结像光学系统,其系于像面形成物体面之图像,其特征为上述结像光学系统包含:折射光学系统,沿一定基准光轴配置;及凹面反射镜;构成为来自上述物体面之光,藉上述折射光学系统,经上述凹面反射镜反射后,藉上述折射光学系统于上述像面形成上述物体之图像,上述折射光学系统含折射面,具有形成非球面形状,设沿上述凹面反射镜反射面至上述非球面状折射面之上述基准光轴之距离为L1,上述凹面反射镜反射面至上述物体面之距离为LT时,满足0.03<L1/LT<0.6之条件。10.一种曝光装置,其系包含:如申请专利范围第1-9项中任一项之结像光学系统;及照明光学系统,向设定于上述物体面之遮光罩照明;其特征为藉上述结像光学系统将形成于上述遮光罩之图案,向设定于上述像面之感光性基板投影曝光。11.如申请专利范围第10项之曝光装置,其中上述照明光学系统含变更机构,为变更照明条件变更上述结像光学系统焦点之光强度分布。12.如申请专利范围第10项之曝光装置,其中上述照明光学系统包含:变更机构,为变更照明条件变更上述结像光学系统焦点之光强度分布;光学积分器,均匀照明上述感光性基板。13.一种曝光装置,其系包含:投影光学系统,含沿一定方向排列之复数投影光学单元;及照明光学系统,向设定于上述物体面之遮光罩照明;其特征为上述投影光学系统包含如申请专利范围第1-9项中任一项之结像光学系统,上述结像投影光学系统之一方,形成于设定在上述物体面之遮光罩图案像为像面之中间像面,上述结像投影光学系统之另一方,再形成于将上述中间像面为物体面以上述遮光罩图案像为像面之最终像面,对上述投影光学系统,沿上述一定方向交叉之方向,相对移动设定于上述遮光罩及上述最终像面之感光性基板,藉上述投影光学系统向上述感光性基板,投影曝光形成于上述遮光罩之图案。14.如申请专利范围第13项之曝光装置,其中上述照明光学系统含复数照明光学单元,对应上述复数投影光学单元,上述照明光学单元,含变更机构,为变更照明条件变更对应上述投影光学单元焦点之光强度分布。15.如申请专利范围第13项之曝光装置,其中上述照明光学系统含复数照明光学单元,对应上述复数投影光学单元,上述照明光学系统包含:变更机构,为变更照明条件变更对应上述投影光学单元焦点之光强度分布;及光学积分器,均匀照明上述感光性基板。16.一种微装置之制造方法,其特征为包括:曝光步骤,用申请专利范围第10项之曝光装置,向上述感光性基板曝光上述遮光罩之图案;及显像步骤,将藉上述曝光步骤曝光之上述感光性基板显像。17.一种微装置之制造方法,其特征为包括:曝光步骤,用申请专利范围第12项之曝光装置,向上述感光性基板曝光上述遮光罩之图案;及显像步骤,将藉上述曝光步骤曝光之上述感光性基板显像。18.一种微装置之制造方法,其特征为包括:曝光步骤,用申请专利范围第13项之曝光装置,向上述感光性基板曝光上述遮光罩之图案;及显像步骤,将藉上述曝光步骤曝光之上述感光性基板显像。19.一种微装置之制造方法,其特征为包括:曝光步骤,用申请专利范围第14项之曝光装置,向上述感光性基板曝光上述遮光罩之图案;及显像步骤,将藉上述曝光步骤曝光之上述感光性基板显像。20.一种曝光方法,其特征为包括:照明步骤,照明形成一定图案之遮光罩;及曝光步骤,用申请专利范围第1至9项中任一项之1或复数结像光学系统,向上述感光性基板曝光上述遮光罩之图案。21.如申请专利范围第20项之曝光方法,其中上述照明步骤更含变更步骤,变更上述1或复数结像光学系统焦点之光强度分布。图式简单说明:图1系本发明实施形态有关之曝光装置整体构造示意透视图。图2系于图1之曝光装置构成投影光学系统之各投影光学单元之构造示意图。图3系本实施形态第1实施例有关之投影光学单元之第1结像光学系统(或第2结像光学系统K2)之透镜构造图。图4系本实施形态第2实施例有关之投影光学单元之第1结像光学系统(或第2结像光学系统K2)之透镜构造图。图5系本实施形态第3实施例有关之投影光学系单元之第1结像光学系统(或第2结像光学系统K2)之透镜构造图。图6系用本实施形态之曝光装置将一定电路图案形成于感光性基板之晶圆等,俾得微装置之半导体装置时之方法流程图。图7系用本实施形态之曝光装置将一定图案形成于基板上,俾得微装置之液晶显示元件时之方法流程图。 |
