| 主权项 |
1.一种增强化学性之正型光阻材料的图型之形成方法,其系将含有一具有可受酸解离之酸不稳定基的基础聚合物与酸产生剂及有机溶剂之增强化学性之正型光阻材料,以均匀之厚度涂布于基板上形成光阻膜,将光阻膜曝光,经后曝光烘烤后,于显影液中显影,并形成正型图型之方法,其中基础聚合物系为使用聚羟基苯乙烯、或羟基苯乙烯与苯乙烯、-甲基苯乙烯、(甲基)丙烯酸tert-丁酯、无水马来酸或马来酸二-tert-丁酯之共聚物,且该苯酚性羟基中之一部份受相互不同之选自下式(1)、(3)与(4)中之至少一种酸不稳定基与选自下式(5)、(7)与(8)中之至少1种具有酸不稳定基所取代之2种以上聚合物的混合物,或一分子中具有2种以上不同之选自式(1)、(3)、(4)、(5)、(7)与(8)中之至少1种酸不稳定基之聚合物,在经调整上记不同的酸不稳定基之种类及基础聚合物中之含量,可使上记增强化学性之正型光阻材料于基板上形成均匀厚度之光阻膜,经后曝光烘烤后,光阻膜在显像液中溶解之时,将上记光阻膜表面向基板方向延伸500之溶解速度之平均为100/sec之曝光量E1与,由基板表面向光阻膜表面方向延伸1000之溶解速度之平均为100/sec之曝光量E2调整为-0.2<(E2-E1)/E2<0.2的图型之形成方法;(式中,R1.R5.R6为碳数1~3之烷基,R2为碳数1~10之直链或支链烷基,R1与R2可结合形成环;R7为碳数1~20之2~4价伸烷基、伸芳基,R8为t-丁基);(式中,R9为碳数1~10之烷基或环烷基,R10为碳数1~10之直链,支链或环状烷基,R9与R10可结合形成环;R14.R15为t-丁基)。2.如申请专利范围第1项的图型之形成方法,其中酸产生剂系使用下式(8)、下式(9)及下式(10)中所选出之1种或2种以上化合物,(R30)bM+K- (8)(其中,R30为碳数1~12之直链、支链或环状烷基、碳数6~12之芳基或碳数7~12之芳烷基、M+为碘或、K-为非亲核性对向离子,b为2或3);(其中,R31.R32为碳数1~12之直链、支链或环状烷基或卤化烷基、碳数6~12之芳基或卤化芳基或碳数7~12之芳烷基);(其中,R33.R34.R35为碳数1~12之直链、支链或环状烷基或卤化烷基、碳数6~12之芳基或卤化芳基或碳数7~12之芳烷基,又,R34.R35可相互形成环状结构,形成环状结构时,R34.R35各自为碳数1~6之直链或支链伸烷基),且其添加量系在对基础聚合物100重量份为0.2~20重量份之范围中,选择合于-0.2(E2-E1)/E2<0.2关系之范围。图式简单说明:图式为显示本发明之增强化学性之正型光阻材料的溶解特性图。 |
