| 主权项 |
1.一种作为晶片承载件之基板,系包括:一芯层,于其至少一表面上界定有至少一晶片接置区;至少一金属层,形成于该芯层之晶片接置区上,该金属层具有一中心部、一围绕该中心部之周边部、及多数连接该中心部与周边部之连接部,其中,该周边部开设有多数贯穿该金属层之槽孔,以使该槽孔内之区域之芯层外露出该金属层;以及一拒焊材质层,敷设至该金属层上,以使该晶片接置区上未以该金属层所覆盖之区域之芯层外露出该拒焊材质层,其中,该拒焊材质层于对应至该金属层之中心部及连接部之预定部位上开设有多数贯穿该拒焊材质层之开孔,以令该预定部位之中心部及连接部之金属层得藉该开孔而外露出该拒焊材质层。2.如申请专利范围第1项之基板,其中,该芯层系以选自环氧树脂、聚亚醯胺树脂、BT树脂及FR4树脂所组成之组群之一树脂材料制成。3.如申请专利范围第1项之基板,其中,该金属层系以铜制成。4.如申请专利范围第1项之基板,其中,该连接部系呈辐射状排列。5.如申请专利范围第1项之基板,其中,该外露出拒焊材质层之芯层系相邻连接部间之区域之芯层以及外露于该金属层槽孔内之芯层。6.如申请专利范围第1项之基板,其中,该中心部及连接部之外露部位系作为散热垫,以令接置于该晶片接置区上之晶片得藉该散热垫而散逸热量至外界。7.如申请专利范围第1项之基板,其中,该拒焊材质层系以拒焊剂构成。8.一种以基板为晶片承载件之半导体封装件,系包括:一基板,于其芯层之晶片接置区上形成有至少一金属层,该金属层具有一中心部、一围绕该中心部且开设有多数贯穿该金属层之槽孔之周边部、及多数连接该中心部与周边部之连接部,以使该槽孔内之区域之芯层外露出该金属层,该金属层上并敷设有一拒焊材质层,而令该晶片接置区上未以该金属层所覆盖之区域之芯层外露出该拒焊材质层,其中,该拒焊材质层于对应至该金属层之中心部及连接部之预定部位上开设有多数贯穿该拒焊材质层之开孔,以令该预定部位之中心部及连接部之金属层得藉该开孔而外露出该拒焊材质层;一胶黏剂,敷设至该晶片接置区上之拒焊材质层、外露出该拒焊材质层之芯层及外露出该拒焊材质层之金属层;一晶片,藉该胶黏剂而黏接于该基板之晶片接置区上;多数导电元件,用以电性连接该晶片至该基板上;以及一封装胶体,与该基板结合用以包覆该晶片。9.如申请专利范围第8项之半导体封装件,其中,该芯层系以选自环氧树脂、聚亚醯胺树脂、BT树脂及FR4树脂所组成之组群之一树脂材料制成。10.如申请专利范围第8项之半导体封装件,其中,该金属层系以铜制成。11.如申请专利范围第8项之半导体封装件,其中,该连接部系呈辐射状排列。12.如申请专利范围第8项之半导体封装件,其中,该外露出拒焊材质层之芯层系相邻连接部间之区域之芯层以及外露于该金属层槽孔内之芯层。13.如申请专利范围第8项之半导体封装件,其中,该中心部及连接部之外露部位系作为散热垫,以令该晶片得藉该散热垫而散逸热量至外界。14.如申请专利范围第8项之半导体封装件,其中,该拒焊材质层系以拒焊剂构成。15.如申请专利范围第8项之半导体封装件,其中,该胶黏剂系银胶。16.如申请专利范围第8项之半导体封装件,其中,该敷设至外露芯层上之胶黏剂得与该芯层紧密结合而不会溢胶至该晶片接置区外。17.如申请专利范围第8项之半导体封装件,其中,该导电元件系焊线。18.如申请专利范围第8项之半导体封装件,其中,该封装胶体系以一树脂化合物制成。19.如申请专利范围第8项之半导体封装件,复包括:多数焊球,植接于该基板上并外露出该封装胶体,用以电性连接该晶片至外界装置。图式简单说明:第1图系本发明之基板之上视图;第2A及2B图系第1图之基板分别沿2A-2A及2B-2B线切开之剖视图;第3A至3D图系使用第2B图基板之半导体封装件之制程剖面示意图;第4A图系习知基板之上视图;第4B图系第4A图之基板沿4B-4B线切开之剖视图;以及第4C图系第4B图之基板接置有晶片之剖视图。 |
