发明名称 用于氮化钛原子层沉积之反应室硬体设计
摘要 本发明提供一种沉积原子层(ALD)之方法。在一态样中,该上盖组件包括具有一上与下表面的一盖板、置于该上表面且具有一或多数冷却通道形成于其内的一歧管块,及置于该歧管块上的一或多数阀。该上盖组件也包括置于其下表面且具有复数之孔与一或多数形成于其中之开口的一分配板,及形成于该盖板、歧管块与分配板内的至少二隔离流道。该至少二隔离流道中之一第一流道系可以流体连通至该一或多数开口,而该至少二隔离流道中之一第二流道系可以流体连通至该复数之孔。
申请公布号 TW200301506 申请公布日期 2003.07.01
申请号 TW091137065 申请日期 2002.12.23
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 安哈N 恩盖叶;史帝夫H 邱;袁晓雄;雷仲礼;奚明;杨晓晅;辛恩M 塞特;伊藤寿雄
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 蔡坤财
主权项
地址 美国