| 摘要 |
本发明之电浆蚀刻方法的特征，系具有配置步骤及蚀刻步骤，前述蚀刻步骤中，前述施加于至少一方之电极的高频电力之频率为50～150MHz，又，前述配置步骤，系在处理室内以相对方式配置一对电极，两电极之间则配置着具有有机系材料膜及无机系材料膜之被处理基板，且利用一方之电极来支持该被处理基板，又，前述蚀刻步骤，系对至少一方之电极施加高频电力在前述一对电极间形成高频电场，同时，对处理室内供应处理气体，利用前述电场形成处理气体之电浆，利用该电浆对前述无机系材料膜实施前述被处理基板之前述有机系材料膜的选择性电浆蚀刻。 |
