氮化镓系化合物半导体等之乾蚀刻方法

摘要

提供一种氮化镓系化合物半导体之乾蚀刻方法，在10^-3Pa级之较低真空度(高压)下仍能获得平滑蚀刻面，且连蓝宝石基板或氧化铝基板般之铝氧化物也能蚀刻。藉由反应气体所产生之电浆26来蚀刻氮化镓系化合物层22～24、蓝宝石基板21或氧化铝基板，该反应气体含有氯气与化学式CxHyClz(x、y、z为正整数)所代表的化合物(氯仿、二氯甲烷)气体。