发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 一种半导体装置,其特征在具备:包含有元件的第1基板;和贯通上述第1基板的第1插塞,上述第1插塞的材料是导电材料,且上述第1插塞与上述元件电性连接;和设置于上述第1基板上方的第2基板,且上述第2基板是介着上述第1插塞与上述元件电性连接;和贯通上述第1基板的第2插塞,上述第2插塞的材料是非绝缘材料,且上述第2插塞没有与上述第2基板电性连接。
申请公布号 TW200303070 申请公布日期 2003.08.16
申请号 TW091137532 申请日期 2002.12.26
申请人 东芝股份有限公司 发明人 泽田佳奈子;佐佐木奎一
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本