| 摘要 |
一种形成半导体之方法，该半导体具有n-通道电晶体(12)和p-通道电晶体(14)且具有对于各不同型式电晶体之最佳闸极至汲极重叠电容，该方法对于个别电晶体(12、14)于闸极(16)上使用差别间隔片。第一补偿间隔片(18)形成于闸极(16)上并施行n-通道扩展植入以建立n-通道电晶体(12)用之源极／汲极扩展区(20)，该n-通道电晶体(12)与该闸极(16)间隔开最佳距离。第二补偿间隔片(22)形成于第一补偿间隔片(18)上，并形成p-通道源极／汲极扩展植入以建立p-通道电晶体(14)用之源极／汲极扩展区(26)。与于p-通道电晶体(14)上之闸极(16)间隔开之源极／汲极扩展区植入(26)所增加的间隔片导致了p-型掺杂物较之于n-型掺杂物具有更快速地扩散。 |
