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发明名称
半导体积体电路装置之制造方法
摘要
本发明系于用于半导体积体电路装置之制造步骤中之制造超纯水步骤中,防止超纯水中离子化胺流出。其系于壳体KOT内配置由聚膜或聚醯亚胺膜等所形成之数个毛细管状之中空线膜TYM,藉由热熔敷接着此等数个中空线膜TYM之两端部,再藉由该热熔敷将中空线膜TYM亦接着于壳体之UF模组配置于UF装置中,并将此种UF装置配置于超纯水制造系统中。
申请公布号
TW200303045
申请公布日期
2003.08.16
申请号
TW091132064
申请日期
2002.10.29
申请人
日立制作所股份有限公司;日立北海半导体股份有限公司
发明人
高桥理;小笠原 邦男
分类号
H01L21/304
主分类号
H01L21/304
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
日本
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