发明名称 磁性随机存取记忆体
摘要 MTJ元件在半导体基板上堆积成多级。X方向延伸的上部线和下部线连接于MTJ元件。配置于各级的MTJ元件数目从下级向上级逐渐变多。关于上部线,位于下级的上部线连接于存在于MTJ元件阵列附近的电晶体,位于上级的上部线连接于远离MTJ元件阵列的电晶体。关于下部线也是下级的下部线比上级的下部线连接于接近MTJ元件阵列的电晶体。
申请公布号 TW200303018 申请公布日期 2003.08.16
申请号 TW091133714 申请日期 2002.11.19
申请人 东芝股份有限公司 发明人 尾山 健
分类号 G11C11/15 主分类号 G11C11/15
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本