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发明名称
磁性随机存取记忆体
摘要
MTJ元件在半导体基板上堆积成多级。X方向延伸的上部线和下部线连接于MTJ元件。配置于各级的MTJ元件数目从下级向上级逐渐变多。关于上部线,位于下级的上部线连接于存在于MTJ元件阵列附近的电晶体,位于上级的上部线连接于远离MTJ元件阵列的电晶体。关于下部线也是下级的下部线比上级的下部线连接于接近MTJ元件阵列的电晶体。
申请公布号
TW200303018
申请公布日期
2003.08.16
申请号
TW091133714
申请日期
2002.11.19
申请人
东芝股份有限公司
发明人
尾山 健
分类号
G11C11/15
主分类号
G11C11/15
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
日本
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