用于改善浅沟隔离结构角部圆角化之浅沟隔离法

摘要

本发明揭示一种于半导体制造期间施行浅沟隔离以改善沟渠之角部圆角化之方法。本方法包括蚀刻沟渠(34)进入矽基板(24)作用区(30)之间，并于该沟渠(34)上施行双重衬底氧化处理(56)和(60)。本方法进一步包括于该作用区(30)上施行双重牺牲氧化处理(72)和(76)，其中各沟渠(34)之角部(35)由此四个氧化处理而实质上形成圆角化。