发明名称 金氰化钾结晶之电解制法
摘要 一种金氰化钾结晶之电解制法,其制法主要包括有下列步骤:提供一氰化钾(KCN)溶液注入一电解槽中作为电解液之电解反应处理;利用正极电解槽内不设置加热元件,而于电解槽之负极电解槽或外表底部设置加热元件之方式,以电解槽内进行加温处理,且令正极电解槽内氰化钾溶液为隔离间接导热处理,供以正、负极电解槽之氰化钾溶液能渐进导热达到电解反应温度;以正极电解槽内进行错离子电解析出结晶处理,供以槽内生成之错离子与负极电解槽所产生穿透导入之负离子相互进行电解反应析出高纯度之金氰化钾错盐;将金氰化钾过饱和错离子溶液予以冷却处理,供以析出完成金氰化钾结晶物者。
申请公布号 TW552320 申请公布日期 2003.09.11
申请号 TW090123413 申请日期 2001.09.24
申请人 蔡振桂 发明人 蔡振桂
分类号 C25B1/22 主分类号 C25B1/22
代理机构 代理人
主权项 1.一种金氰化钾结晶之电解制法,其制法主要包括有下列步骤:提供一氰化钾(KCN)溶液注入一电解槽中作为电解液之电解反应处理;利用正极电解槽内不设置加热元件,而于电解槽之负极电解槽或外表底部设置加热元件之方式,以电解槽内进行加温处理,且令正极电解槽内氰化钾溶液为隔离间接导热处理,供以正、负极电解槽之氰化钾溶液能渐进导热达到电解反应温度;以正极电解槽内进行错离子电解析出结晶处理,供以槽内生成之错离子与负极电解槽所产生穿透导入之负离子相互进行电解反应析出高纯度之金氰化钾错盐;将金氰化钾过包何错离子溶液予以冷却处理,供以析出完成金氰化钾结晶物者。2.如申请专利范围第1项所述之金氰化钾结晶之电解制法,其中该电解槽内部系以多氟树脂半透膜所区隔出至少一组正、负极电解槽所构成,而该正极电解槽内设置有一黄金板材之正电极,负极电解槽内设有不锈钢或钛板材之负电极,以利氰化钾(KCN)溶液得于正、负极电解槽中产生电解反应处理。3.如申请专利范围第1项所述之金氰化钾结晶之电解制法,其中该电解槽外表底部设置之加热元件为电磁加热器或红外线加热器,以产生加热能源渐进对电解槽之正、负极电解槽达到隔离间接导热处理,且该正极电解槽内之氰化钾溶液只需至8010℃之电解反应温度,始可令电解槽内达到均匀电解反应温度,进而完全生成过量错离子进行后续电解析出结晶处理。4.如申请专利范围第1项所述之金氰化钾结晶之电解制法,其中该电解槽之负极电解槽内设置之加热元件为加热器,以产生加热能源借电场电流的流动对电解槽之正极电解槽达到隔离间接导热处理,且该正极电解槽内之氰化钾溶液只需至6010℃之电解反应温度,始可令电解槽内达到均匀电解反应温度,进而完全生成大量黄金错离子﹝Au(Cn-2)﹞进行后续冷却析出结晶处理。图式简单说明:第一图所示为习用金氰化钾结晶之电解装置示意图。第二图所示为本发明金氰化钾结晶之电解制法流程图。第三图所示为本发明一较佳具体实施例图。第四图所示为本发明另一较佳具体实施例图。第五图所示为本发明再一较佳具体实施例图。
地址 桃园县桃园市复兴路七十号五楼之二十三