| 摘要 |
本发明之课题系在于提供一种磁性随机存取记忆体及其制造方法，其在读出位元线(BLj)上，连接有复数个读出块(BKjn)。读出块(BKjn)，系在读出位元线(BLj)与接地端子(VSS)之间，具有串联连接的复数个MTJ元件(12)。该等复数个MTJ元件(12)，系堆叠在半导体基板上。读出位元线(BLj)，系配置于已堆积的复数个MTJ元件(12)上。读出块(BKjn)内之复数个MTJ元件(12)附近，存在有延伸于X方向的写入字线(WWL3n、WWL3n+1、WWL3n+2)与延伸于Y方向的写入位元线(BLj0、BLj1)。 |
