| 主权项 |
1.一种用于半导体制程之支撑晶圆装置,包括:一静电吸盘(electrostatic chuck),该静电吸盘周边有一第一凹槽,当该静电吸盘通一直流电源时,即可产生一电磁力以吸附住一晶圆于该静电吸盘之上;一聚焦环(focus ring),该聚焦环系固定于该静电吸盘之周边,其中该聚焦环有一第二凹槽,该第二凹槽之槽口与该第一凹槽之槽口切齐相对;以及一导电物质,该导电物质系由一驱动装置控制其移动,其中该导电物质系置于该聚焦环下面并且于该第二凹槽与该第一凹槽之间移动,当进行半导体蚀刻制程时,该导电物质往该聚焦环方向移动时,可以增进该晶圆周边之蚀刻均匀性。2.如申请专利范围第1项之用于半导体制程之支撑晶圆装置,其中该聚焦环材质为石英。3.如申请专利范围第1项之用于半导体制程之支撑晶圆装置,其中该聚焦环材质为矽土。4.如申请专利范围第1项之用于半导体制程之支撑晶圆装置,其中该聚焦环材质为陶瓷。5.如申请专利范围第1项之用于半导体制程之支撑晶圆装置,其中该聚焦环材质为橡胶(vespel)。6.如申请专利范围第1项之用于半导体制程之支撑晶圆装置,其中该导电物质之材质为矽土。7.如申请专利范围第1项之用于半导体制程之支撑晶圆装置,其中该导电物质之材质为碳(carbon)。8.如申请专利范围第1项之用于半导体制程之支撑晶圆装置,其中该导电物质之材质为铝土(镀上A12O3的铝)。9.如申请专利范围第1项之用于半导体制程之支撑晶圆装置,其中该驱动装置为一步进马达。10.一种用于半导体制程之支撑晶圆装置,包括:一静电吸盘(electrostatic chuck),该静电吸盘之上表面包括一中心圆形上表面与一第一、第二与第三周边环形上表面,其中该中心圆形上表面之高度比该第一与第二周边环形上表面之高度高,而该第一与第二周边环形上表面之高度相等并比该第三周边环形上表面之高度高,以形成一第一凹槽于该第三周边环形上表面之上,而该晶圆系置于该中心圆形上表面之上;一聚焦环(focus ring),该聚焦环之上表面包括一第一与一第二环形上表面,该第一环形上表面与该静电吸盘之该中心圆形上表面毗邻与同高,而该第二环形上表面之高度比该第一环形上表面高,且该第二环形上表面之外侧与该静电吸盘之该第二周边环形上表面之外侧切齐,该聚焦环之下表面包括一第一、第二与第三环形下表面,其中该第一与第二环形下表面同高并比该第三环形下表面之高度低,以形成一第二凹槽于该第三环形下表面之下,且该第一与第二环形下表面置于该静电吸盘之该第一与第二周边环形上表面之上,使得该第二凹槽之内表面与该第一凹槽之内表面切齐;以及一导电物质,该导电物质系由一驱动装置控制其移动,其中该导电物质系置于该聚焦环之该第三环形下表面之下面并且于该第二凹槽与该第一凹槽之间移动,当进行半导体蚀刻制程时,该导电物质往该聚焦环方向移动时,可以增进该晶圆周边之蚀刻均匀性。11.如申请专利范围第10项之用于半导体制程之支撑晶圆装置,其中该聚焦环材质为石英。12.如申请专利范围第10项之用于半导体制程之支撑晶圆装置,其中该聚焦环材质为矽土。13.如申请专利范围第10项之用于半导体制程之支撑晶圆装置,其中该聚焦环材质为陶瓷。14.如申请专利范围第10页之用于半导体制程之支撑晶圆装置,其中该聚焦环材质为橡胶(vespel)。15.如申请专利范围第10项之用于半导体制程之支撑晶圆装置,其中该导电物质之材质为矽土。16.如申请专利范围第10项之用于半导体制程之支撑晶圆装置,其中该导电物质之材质为碳(carbon)。17.如申请专利范围第10项之用于半导体制程之支撑晶圆装置,其中该导电物质之材质为铝土(镀上A12O3的铝)。18.如申请专利范围第10项之用于半导体制程之支撑晶圆装置,其中该驱动装置为一步进马达。19.一种用于半导体制程之支撑晶圆装置,包括:一静电吸盘(electrostatic chuck),该静电吸盘之上表面包括一中心圆形上表面与一第一、第二与第三周边环形上表面,其中该中心圆形上表面之高度比该第一与第二周边环形上表面之高度高,而该第一与第二周边环形上表面之高度相等并比该第三周边环形上表面之高度高,以形成一第一凹槽于该第三周边环形上表面之上,当该静电吸盘通一直流电源时,即可产生一电磁力以吸附住一晶圆于该中心圆形上表面之上,并且该电磁力可以帮助该静电吸盘上面之电浆(plasma)向下加速;一聚焦环(focus ring),该聚焦环之上表面包括一第一与一第二环形上表面,该第一环形上表面与该静电吸盘之该中心圆形上表面毗邻与同高,而该第二环形上表面之高度比该第一环形上表面高,且该第二环形上表面之外侧与该静电吸盘之该第二周边环形上表面之外侧切齐,该聚焦环之下表面包括一第一、第二与第三环形下表面,其中该第一与第二下表面同高并比该第三环形下表面之高度低,以形成一第二凹槽于该第三环形下表面之下,且该第一与第二环形下表面置于该静电吸盘之该第一与第二周边环形上表面之上,使得该第二凹槽之内表面与该第一凹槽之内表面切齐;以及一导电物质,该导电物质系由一驱动装置控制其移动,其中该导电物质系置于该聚焦环之该第三环形下表面之下面并且于该第二凹槽与该第一凹槽之间移动,当进行半导体蚀刻制程时,该导电物质往该聚焦环方向移动时,可以增进该晶圆周边之蚀刻均匀性。20.如申请专利范围第19项之用于半导体制程之支撑晶圆装置,其中该聚焦环材质为石英。21.如申请专利范围第19项之用于半导体制程之支撑晶圆装置,其中该聚焦环材质为矽土。22.如申请专利范围第19项之用于半导体制程之支撑晶圆装置,其中该聚焦环材质为陶瓷。23.如申请专利范围第19项之用于半导体制程之支撑晶圆装置,其中该聚焦环材质为橡胶(vespel)。24.如申请专利范围第19项之用于半导体制程之支撑晶圆装置,其中该导电物质之材质为矽土。25.如申请专利范围第19项之用于半导体制程之支撑晶圆装置,其中该导电物质之材质为碳(carbon)。26.如申请专利范围第19项之用于半导体制程之支撑晶圆装置,其中该导电物质材质为铝土(镀上A12O3的铝)。27.如申请专利范围第19项之用于半导体制程之支撑晶圆装置,其中该驱动装置为一步进马达。图式简单说明:第一图所示为习知技术之半导体晶圆支撑装置之示意图。第二图所示为显示本发明之半导体晶圆支撑装置示意图。 |
