半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一半导体装置制备方法，其包含下列步骤：于一矽基材(半导体基材)上形成一第一绝缘薄膜；于该第一绝缘薄膜上形成一电容器之下电极、一介电薄膜以及一上电极；形成一第一电容器保护绝缘薄膜，以至少覆盖介电薄膜与上电极；于一偏压不施加至该矽基材之状态下，藉化学蒸汽沈积法，形成一第二电容器保护绝缘薄膜，其覆盖第一电容器保护绝缘薄膜；以及于一偏压施加至该矽基材之状态下，藉化学蒸汽沈积法，而于第二电容器保护绝缘薄膜上形成一第二绝缘薄膜。