| 主权项 |
1.一种基材处理方法,包含:(a)一氮化制程,将氮自由基供应至电子装置用基材之表面,以于该表面形成氮化膜;与(b)一氢化制程,将氢自由基供应至该电子装置用基材表面。2.依申请专利范围第1项之基材处理方法,其中在该(a)氮化制程之后,进行该(b)氢化制程。3.依申请专利范围第1项之基材处理方法,其中该(a)氮化制程以及该(b)氢化制程系部分同时进行。4.依申请专利范围第1项之基材处理方法,其中该(a)氮化制程以及该(b)氢化制程系同时进行。5.依申请专利范围第1至4项任一项之基材处理方法,其中该电子装置用基材系半导体装置用基材。6.依申请专利范围第1至4项任一项之基材处理方法,其中该电子装置用基材系液晶装置用基材。7.依申请专利范围第1至4项任一项之基材处理方法,其中该电子装置用基材系以矽为主成分之基材。8.依申请专利范围第1至4项任一项之基材处理方法,其中该电子装置用基材之表面系氧化膜之表面。9.依申请专利范围第1至4项任一项之基材处理方法,其中该氮自由基系藉由于惰性气体与氮气之混合气体中激发电浆所形成。10.依申请专利范围第1至4项任一项之基材处理方法,其中该电浆系藉由微波所激发。11.依申请专利范围第9项之基材处理方法,其中该氢自由基系藉由于惰性气体及氮气之混合气体中、更添加氢气所形成。12.依申请专利范围第9项之基材处理方法,其中形成该氮化膜的制程与供应该氢自由基的制程系连续进行。13.依申请专利范围第9项之基材处理方法,其中于该氮化膜形成制程之后,一度中断该电浆之激发,而该氢自由基系藉由在惰性气体及氢气之混合气体中再度激发电浆所形成。14.一种电子装置用材料,其包含电子装置用基材,且系于其表面之至少一部分具有氮化膜的电子装置材料,该材料作为MOS型装置之绝缘层使用的情况下,与氧化膜之平带电压(Vfb)比较之下,该材料给与之差异以NMOS为0.1V以下、以PMOS其差异为1V以下。15.依申请专利范围第14项之电子装置用材料,其中该电子装置用基材系半导体装置用基材。16.依申请专利范围第14项之电子装置用材料,其中该电子装置用基材系液晶装置用基材。17.依申请专利范围第14至16项任一项之电子装置用材料,其中该雷子装置用基材系以矽为主成分之基材。18.依申请专利范围第14至16项任一项之电子装置用材料,其中该氮化膜系将电子装置用基材氮化所形成者。19.依申请专利范围第14至16项任一项之电子装置用材料,其中该氮化膜系将氧化膜氮化所形成者。图式简单说明:图1系显示实施本发明之方法可以使用之基材处理装置之构成之一例的示意剖面图。图2系显示实施本发明之方法可以使用之基材处理装置之构成之其它例的示意剖面图。图3A~3D系显示依照本发明第1样态的基材处理制程的示意剖面图。图4A~4C系显示本发明第1样态之基材处理制程之一部分的扩大示意剖面图。图5系显示藉由本发明第1样态所得之绝缘膜之漏电流特性Jg与氧化膜换算膜厚Teq间之关系的图。图6系显示藉由本发明第1样态所得之平带电压与氧化膜换算膜厚Teq间之关系。图7A及图7B系显示藉由本发明第1样态所得之C-V特性的图。图8A、8B系显示本发明第1样态之制造程序的图。图9A~9C系显示显示本发明第2实施例之基材处理制程的图。 |
