在一制造步骤中形成具有不同厚度之高品质氧化层之方法及装置

摘要

本发明系关于一种在一制造步骤中于一第一与一第二半导体区域上形成不同厚度之高品质氧化层之方法。本方法包括下面的步骤：-以不同的掺杂物浓度掺杂该第一与第二半导体区域，及-于同一制造步骤中，在500℃与700℃之间的温度下(较佳的系在500℃与650℃之间的温度)氧化该第一与第二半导体区域。本发明亦提供一种对应的装置。利用低温氧化结合高掺杂量大幅地提升氧化速率。