发明名称 记忆元件之测试方法
摘要 本发明提供了一种用于配备有内部信号产生机制之记忆元件的测试方法,该内部信号产生机制可产生具有与外来信号同步之固定周期的内部信号,其中一登录电路机制会在区分出该资讯满足将要由该记忆元件施行之测试条件时产生输出,且一闸极机制会在该记忆元件之该记忆体机制处于书写资料动作状态时产生输出以启动一缓冲器机制,如是可藉着经由该缓冲器机制将该内部信号连接到该记忆元件之资料书写输入端上而将该内部信号书写到该记忆元件上,然后再藉由从该记忆元件将所书写的资料读取到外面并侦测各资料改变点以施行该内部信号的相关量测作业。
申请公布号 TW200306581 申请公布日期 2003.11.16
申请号 TW092106864 申请日期 2003.03.27
申请人 NEC电子股份有限公司 发明人 下智胜
分类号 G11C29/00 主分类号 G11C29/00
代理机构 代理人 何金涂
主权项
地址 日本