发明名称 光半导体装置
摘要 〔课题〕构成一种包括设计自由度高之低反射率披覆膜的光半导体装置。〔解决手段〕本发明之光半导体装置,系于具有等效折射率nc之半导体雷射元件12之其中一端面配设低反射率涂敷膜14,该低反射率涂敷膜14具有:折射率为n1、膜厚为d1之第1层涂敷膜16,及折射率为n2、膜厚为d2之第2层涂敷膜18;该低反射率涂敷膜14设定为,假设第2层涂敷膜18表面上之自由空间之折射率为n0时,相对半导体雷射之既定雷射光之波长λ0,使该波长λ0、折射率n1、n2、膜厚d1、d2所界定振幅反射率之实部及虚部成为0之同时,仅n1、n2之其中一方小于nc×n0之积之平方根。
申请公布号 TW200306688 申请公布日期 2003.11.16
申请号 TW092103190 申请日期 2003.02.17
申请人 三菱电机股份有限公司 发明人 原君男;川崎和重
分类号 H01S5/00 主分类号 H01S5/00
代理机构 代理人 洪澄文
主权项
地址 日本