发明名称 组件
摘要 本发明提出一种组件,特别系一种半导体组件,其具有配置于一第二晶片(20)上之一第一晶片(10),其中该等第一与第二晶片(10、20)皆在其主要区(13、23)上各具有第一与第二镀金属层(12、22),该等第一与第二镀金属层系互相面对着。该等镀金属层(12、22)之第一区域系用于在该等第一与第二晶片(10、20)之间制作一电气连接。该等镀金属层(12、22)之第二区域则系作为该等第一与第二晶片(12、20)外侧之一额外的电气功能平面。
申请公布号 TW200306660 申请公布日期 2003.11.16
申请号 TW092105407 申请日期 2003.03.12
申请人 忆恒科技股份公司 发明人 霍格尔 胡伯讷
分类号 H01L23/522 主分类号 H01L23/522
代理机构 代理人 蔡清福
主权项
地址 德国