| 主权项 |
1.一种电浆反应器元件之制造方法,该电浆反应器元件具有使用期间暴露于电浆的一或多个表面,该方法包含将一涂覆材料电浆喷洒至该元件的一电浆喷洒表面上以形成一涂层,该涂层具有可促进聚合物沉积物的黏附之表面粗糙特征。2.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包含以下步骤:将该元件的电浆暴露表面加以粗糙化;及在电浆喷洒该涂覆材料之前清理该粗糙化的表面。3.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包含清理该电浆喷洒涂层的暴露表面。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该涂覆材料为一陶瓷或一聚合材料。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该元件具有贯穿的开口,该方法进一步包含在电浆喷洒该涂层之前先塞住该等开口。6.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包含从一电浆反应室移除该元件,并在将该涂层电浆喷洒至该经清理表面上之前移除任何既有的涂层及/或黏附的聚合物沉积物藉以清理该电浆暴露表面。7.如申请专利范围第4项之方法,其中该电浆喷洒涂层系为具有2至5密耳厚度之一种陶瓷材料。8.如申请专利范围第4项之方法,其中该元件及该涂覆材料包含相同的陶瓷材料。9.如申请专利范围第4项之方法,其中该涂覆材料为一种聚醯亚胺。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该涂层具有10至30密耳的厚度。11.如申请专利范围第1项之方法,其中该元件选自包括下列各物之群组:一电浆限制圈、一聚焦圈、一轴架、一室壁、一室衬垫及一气体配送板。12.如申请专利范围第2项之方法,其中该粗糙化步骤系包含以珠粒喷击该元件的表面。13.如申请专利范围第1项之方法,其中该涂层具有介于150与190微寸之间之算数平均表面粗糙値(Ra)。14.一种电浆反应器之元件,该元件具有在处理期间暴露于该电浆的一或多个表面,该元件包含位于一电浆暴露表面上之一电浆喷洒涂层,其中该涂层具有可促进聚合物沉积物的沉积之表面粗糙特征。15.如申请专利范围第14项之元件,其中该元件由一金属材料或一陶瓷材料制成。16.如申请专利范围第15项之元件,其中该元件系包含具有一阳极化或非阳极化的电浆暴露表面之铝。17.如申请专利范围第14项之元件,其中该元件系由选自包括下列各物之群组之一种陶瓷材料所制成:氧化铝、氧化钇、二氧化锆、碳化矽、氮化矽、碳化硼及氮化硼。18.如申请专利范围第14项之元件,其中该元件选自包括下列各物之群组:一电浆限制圈、一聚焦圈、一轴架、一室壁、一室衬垫及一气体配送板。19.如申请专利范围第14项之元件,其中该涂层为一陶瓷或聚合材料。20.如申请专利范围第19项之元件,其中该涂层系为选自包括下列各物之群组之一种陶瓷材料:氧化铝、氧化钇、二氧化锆、碳化矽、氮化矽、碳化硼及氮化硼。21.如申请专利范围第20项之方法,其中该元件及该涂覆材料包含相同的陶瓷材料。22.如申请专利范围第20项之元件,其中该涂层具有2至5密耳的厚度。23.如申请专利范围第19项之元件,其中该涂层为一种聚醯亚胺。24.如申请专利范围第23项之元件,其中该涂层具有10至30密耳的厚度。25.如申请专利范围第14项之元件,其中该涂层具有150至190微寸之算数平均表面粗糙値(Ra)。26.一种电浆反应器,其包含至少一元件,该元件具有在处理期间暴露于该电浆的一或多个表面,及位于一电浆暴露表面上之电浆喷洒涂层,其中该涂层具有可促进聚合物沉积之表面粗糙特征。27.一种处理一基材之方法,该方法系于一电浆反应器中进行,该电浆反应器包含一元件,该元件具有在处理期间暴露于该电浆的一个或多个表面,及位于一电浆暴露表面上之电浆喷洒涂层,其中该涂层具有可促进聚合物沉积之表面粗糙特征,该方法包含:以一电浆接触该基材的一暴露表面之步骤。28.如申请专利范围第27项之方法,其进一步包含以下步骤:将该基材定位在该反应器的一基材支撑部上;将一处理气体导入该反应器中;将射频能施加至该处理气体以在邻近该基材的一暴露表面处产生一电浆;及以一电浆蚀刻该暴露的基材表面。29.如申请专利范围第28项之方法,其中该处理气体包含至少一种的聚合物形成物种。30.如申请专利范围第27项之方法,其中该基材的暴露表面包含一金属材料或一氧化物。31.如申请专利范围第28项之方法,其中该元件为一气体配送板,该方法进一步包含将该处理气体经由该气体配送板中的开口导入该反应器中。图式简单说明:图1显示一种习知的电浆喷洒程序;图2显示根据本发明采用电浆喷洒反应器元件之一种金属蚀刻室;图3显示根据本发明采用电浆喷洒反应器元件之一种高密度氧化物蚀刻室;及图4为对于图3的蚀刻室之根据本发明的一项实施例之一种气体配送板的俯视图。 |
